权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

低速多価イオンビームによる原子操作

使用慢速多电荷离子束进行原子操纵

基本信息

批准号：
11222207
负责人：
目黒多加志
金额：
$ 33.02万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
起止时间：
1999 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

高配向性グラファイトに多価のアルゴンイオンを照射することにより、ナノサイズのダイヤモンドの創製が可能なことが、本研究の成果として得られたが、本年度はさらに作成した構造が本来持っていない新たな特性を示すことを明らかにした。高配向性グラファイトに8価のアルゴンイオンを照射した後、He-Cdレーザーを照射しイオン照射領域をsp^3を有するナノダイヤモンド様の構造に変化させ、さらにその構造を水素雰囲気中で600℃、30分間の熱処理を施すことにより、複数の特性に顕著な変化が見られた。グラファイトは可視域、紫外域には発光を示さない材料であるが、20Kで測定したカソードルミネッセンスでは、微弱ながら紫外域に発光を示すことが分かった。また、イオン照射領域に対して走査トンネル顕微鏡を用いて電界放出効果を調べたところ、化学気相成長法で作成した多結晶ダイヤモンド薄膜と同等の電界放出特性を示すことも確認された。これらの結果は、ナノスケールでの新しい材料創製を示唆する結果と考えられる。また、ラマン分光法を用いて多価イオン照射の高配向性グラファイト基板に対する効果を調べた結果、同程度のドーズ量では価数が高くなるにつれて、ディフェクティブなスペクトルが得られた。これは、価数が低い場合には、イオン照射により点欠陥が生成されるが、価数の増加に従い点欠陥の複合体が形成されることを示している。また、レーザーアブレーションによりナノ構造シリコン(Siナノ微粒子)を創製し、気相での水素表面修飾、および固相でのErとPの不純物をドーピングを試み、Siナノ微粒子の形成過程については第2レーザー照射法により時間分解PL測定を行ない、その動的過程を明らかにし、Erドーピングにより温度消光のないSiナノ結晶の作製とPドナーのSiナノ結晶へのドーピングの可能性を示した。

The results of this study were obtained and new properties were demonstrated this year. The structure of the high alignment structure is transformed by the heat treatment at 600℃ for 30 minutes in the heat treatment of the high alignment structure and the heat treatment of the high alignment structure. The light emitting materials in the visible field and ultraviolet region are measured at 20K. The light emitting materials in the ultraviolet region are measured at 20K. The effect of electron emission was modulated by chemical phase growth method. The results of this research are as follows: The high alignment of the substrate with the multi-wavelength irradiation method can be adjusted to the same extent as the high alignment of the substrate with the multi-wavelength irradiation method. When the number of dots is low, the number of dots is low, and the number of dots is high, the number of dots is low, and the number of dots is high. In addition, the structure of Si particles was modified in the gaseous phase, and impurities in the solid phase were also modified in the gaseous phase. The formation process of Si particles was studied in the second phase irradiation method, and the time decomposition PL measurement was carried out. The possibility of making Si crystals and Si crystals by temperature extinction is shown.