课题基金 / 基金详情

粉末ガス溶射ガンを用いたSiCウイスカー強化Al材料の製造に関する基礎的研究

粉末ガス溶射ガンを用いたSiCウイスカー強化Al材料の製造に関する基礎的研究
粉末气体喷枪制造SiC晶须增强铝材料的基础研究
批准号:
62550505
负责人:
新美 格
金额:
$1.09万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 --

项目摘要

项目成果

新美 格的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
粉末ガス溶射(PFS)ガンを利用して, 強化材(炭化珪素ウイスカー, SiCw)を溶射フレーム中で直接複合化するための溶射条件を調べた. PFSガン先端部に装着したエアーキャップ内面に生じる誘引圧力は, PFSの溶射フレーム速度が小さいため, 最大誘引圧力でも-500Pa程度であり, SiCwの吸引に利用することが困難であった. 従って, 主ノズルからSiCwを空気と一緒に吹出す複合化方式を検討した. 即ち, SiCwはガン本体に入る前に, 誘引圧力-30kPaの吸引ノズルを利用して混合空気流を生じさせ, 空気との混合ジェットとして溶射フレームに吹込むことにより, 純Al溶滴との複合化を実現した. 主ノズルから溶射フレームへの吹出し角度が溶射軸に平行な場合に, MMCプリフォーム中のVfが最大となった. また, エアーキャップ全長がVfに及ぼす影響を調べた結果, 全長30mmの場合にVfが最大となった. 溶射距離を270mmとした場合, MMCプリフォームの直径は約55mmであり, 溶線ガス溶射と比較してフレームは絞られている. 作製したプリフォーム中のVf分布は, 直径50mm範囲内で2〜3%程度の差が認められた. しかしながら, 到達Vfは約6%と極めて低い値であった. SiCwの二次元配向化及び気孔の消滅を目的として熱間鍛造を行い, その引張強度を測定した. Vf=5.3%では134MPaが得られ, 約50%純Alより強化された. Vfの向上が今後の課題である.ガス溶射法による複合化は, 接触するAl溶滴の温度が高いため強化材との良好な濡れ性が期待できる反面, 有害な界面反応が懸念される. しかしながら, 溶射フレーム中の飛行時間は10ms以下と短いため, 反応層が厚く成長しないと推定される. PFS法は本研究のようにマトリックス金属が粉末の場合に有効である.
英文摘要
粉末ガス溶射(PFS)ガンを利用して, 強化材(炭化珪素ウイスカー, SiCw)を溶射フレーム中で直接複合化するための溶射条件を調べた. PFSガン先端部に装着したエアーキャップ内面に生じる誘引圧力は, PFSの溶射フレーム速度が小さいため, 最大誘引圧力でも-500Pa程度であり, SiCwの吸引に利用することが困難であった. 従って, 主ノズルからSiCwを空気と一緒に吹出す複合化方式を検討した. 即ち, SiCwはガン本体に入る前に, 誘引圧力-30kPaの吸引ノズルを利用して混合空気流を生じさせ, 空気との混合ジェットとして溶射フレームに吹込むことにより, 純Al溶滴との複合化を実現した. 主ノズルから溶射フレームへの吹出し角度が溶射軸に平行な場合に, MMCプリフォーム中のVfが最大となった. また, エアーキャップ全長がVfに及ぼす影響を調べた結果, 全長30mmの場合にVfが最大となった. 溶射距離を270mmとした場合, MMCプリフォームの直径は約55mmであり, 溶線ガス溶射と比較してフレームは絞られている. 作製したプリフォーム中のVf分布は, 直径50mm範囲内で2〜3%程度の差が認められた. しかしながら, 到達Vfは約6%と極めて低い値であった. SiCwの二次元配向化及び気孔の消滅を目的として熱間鍛造を行い, その引張強度を測定した. Vf=5.3%では134MPaが得られ, 約50%純Alより強化された. Vfの向上が今後の課題である.ガス溶射法による複合化は, 接触するAl溶滴の温度が高いため強化材との良好な濡れ性が期待できる反面, 有害な界面反応が懸念される. しかしながら, 溶射フレーム中の飛行時間は10ms以下と短いため, 反応層が厚く成長しないと推定される. PFS法は本研究のようにマトリックス金属が粉末の場合に有効である.
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
恒川 好樹: 軽金属.
常川芳树:轻金属。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
短繊維グラスファイバーFRMの高温押出しに関する基礎的研究
  • 批准号:
    58550459
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.54万
  • 财政年份:
    1983
  • 负责人:
    新美 格
  • 依托单位:
国内基金
高速干切削加工用WC-GNPs-SiCw陶瓷材料的烧结、断裂行为与失效机理研究
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    54万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    朱天彬
  • 依托单位:
Cu/SiCw无孔隙复合电沉积机理及热机械性能研究
  • 批准号:
    62104151
  • 项目类别:
    青年科学基金项目(C类)
  • 资助金额:
    30.0万元
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    赖丽燕
  • 依托单位:
基于中子衍射的闪烧SiCw/ZrO2异质界面应力演变及致密化机理研究
  • 批准号:
    52002067
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    马百胜
  • 依托单位:
SiCw-ZrB2-ZrC复相陶瓷中原位生长SiC晶须的尺度效应及其强韧化机制
  • 批准号:
    51702194
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    刘长青
  • 依托单位: