IIA-VIB族化合物半導体の発光機構とその動特性

IIA-VIB族化合物半导体的发光机理及动态特性

• 批准号: 62604526
• 负责人: 国府田 隆夫
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62604526/
• 关键词: 化合物半導体; ルミネセンス; 光物性; 蛍光体

本研究の目的は, 最近本研究者らが組織的に進めてきた各種のIIA-VIB族化合物の単結晶作製と, これについて得られた基礎的物性に関する研究を基盤として, これらの化合物結晶が示す特徴的な発光(ルミネセンス)の微視的機構を解明することにある. この目的に沿って, 本年度はこれまでの測定によって得られた各種の分光スペクトル(反射, 吸収, 発光, 発光励起)の実験データと理論的研究の結果を解析して, 各結晶の電子エネルギー帯構造を解明し, ついで各種の不純物や格子欠陥を介した電子-正孔対の再結合過程を調べた. 特に, 大部分のIIA〜VIB族化合物結晶で予想されている禁制間接遷移という特異な性質が, その発光特性にどのように反映されているかを実験的に明らかにすることを主要な目的として研究を進めた.IIA-VIB族化合物結晶は, BaOを唯一の例外として, すべてΓ点の価電子帯頂点とX点の電動帯底点の間に間接型のバンド間隙をもっている. 吸収, 発光スペクトル, 発光励起スペクトル, APW法による理論的バンド計算によって, このことが確かめられた. 結晶中に励起された電子, 正孔対は, このようなバンド構造により格子フォノンを放出して直接的に再結合することが禁制されている. 有効な再結合中心が存在すれば, それを介して効率の高いルミネッセンスが生じると予想されるが, 実際に等電子配置不純物や希土類イオン不純物によって生じる発光には, そのような特徴が認められる. 結晶中に励起された電子-正孔対が, どのような過程をたどって特定の発光中心での再結合発光遷移に到るかを明らかにするために, 電子軌道放射光を利用した広い波長領域の発光励起スペクトルの測定と, 単バンチモードによるパルス光で励起された発光の減衰特性を詳しく調べ, 新しい知見を得た.

The purpose of this study is that recently, the laboratory results of all kinds of IIA-VIB compounds have been studied, and the physical properties of the compounds have been studied. The results of the chemical analysis show that the mechanism of the special phosphor (optical microscope) micro-view is effective. The purpose of this year is to determine all kinds of spectroscopic spectroscopy (reflection, absorption, luminescence, luminescence excitation). The results of the study on the theory of mechanical properties are analyzed, and the structures of each crystal electron microscope are analyzed. For all kinds of materials, there is a need for the introduction of electronic devices-positive hole devices are combined with the process equipment. In particular, most of the IIA~ VIB compounds are intended to be used to prevent the transfer of optical properties, the optical properties reflect the optical properties of the IIA-VIB compounds, and the main purpose of the study is to improve the structure of the VIBs group compounds. The only exception in BaO Please contact the bottom point of the computer, the base point, the bottom point and the bottom point. The absorption, the light, the light. In the result, the computer is set up, the hole is rectified, and the grid is made. The device is released directly in combination with the battery to prohibit the license. There is a system in the system recombination center, which has a high temperature response rate. If you want to use it, you may want to use it. Other electronic devices such as the international one are equipped with electrical equipment, such as those, that do not require equipment. In the crystal, the optical diode is excited, and the optical emission is combined with the luminescence of the specific luminescence center, and then the luminescence is moved to the optical emission of the photoelectric. the emission light of the cable is used to excite the temperature measurement in the field of optical wavelength, and the characteristic of optical decay is excited by the emission light. I can't help you with your new ideas.

项目成果

Y.Kaneko: Proceeding of the Second Asia-Pacific Physics Conference (World Scirntific,Singapole,1987). 2. 952-961 (1987)

Y.Kaneko：第二届亚太物理会议论文集（World Scirntific，新加坡，1987 年）。

Y.Kaneko: J.Crystal Growth. 86. 72-78 (1988)

Y.Kaneko：J.晶体生长。