Verzerrungsinduzierte Selbstordnungsprozesse in heteroepitaktischen Silizium-Germanium Schichten

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Mit diesem Projekt sollen die Mechanismen der Selbstordnung und der zeitliche Ablauf des Wachstumsprozesses bei der fehlpassenden Heteroepitaxie am Beispiel des Systems GeSi, lösungsgezüchtet aus metallischer Schmelze auf Si, analysiert werden (Flüssigphasenepitaxie, LPE). Diese Methode zeichnet sich aus durch sehr kleine treibende Kräfte (gleichgewichtsnahe Züchtung) und durch hohe Diffusionskoeffizienten in der Schmelze. Dadurch sind Wachstum und Strukturbildung praktisch energetisch bestimmt, kinetische Einflüsse sind vernachlässigbar. Wir studieren in Abhängigkeit von Wachstumstemperatur, -geschwindigkeit und GeSi-Zusammensetzung (also Fehlpassung):- Oberflächenwellen und Inseln, deren Entstehungsabfolge, deren charakteristische Geometrie, Form, Größe und Anordnung - lokale Verzerrung und chemische Zusammensetzung- Änderungen beim Überwachsen in Form, Verzerrungszustand und Zusammensetzung