Electron microscope analyses of AlGaN/GaN and InGaN/GaN heterostructures.

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Im geplanten Forschungsprojekt sollen die Mechanismen der Phasensegregation und Ordnungseinstellung in InGaN-Legierungen im Hinblick auf die resultierenden optischen Eigenschaften analysiert werden. Hauptaugenmerk unserer Arbeiten liegt auf der Frage, inwieweit die optischen Eigenschaften von InGaN durch die Nahordnung in der Legierung bestimmt sind. Daraus erhoffen wir uns Aufschluß darüber, ob Lokalisation von Exzitonen von der Phasensegregation herrührt oder wie von Bellaiche und Zunger postuliert eine intrinsische Eigenschaft der InGaN-Legierung ist. Ziel der Untersuchungen ist es , Bedingungen zu finden, die es erlauben geordnete Legierungen kontrolliert herzustellen, um (i) die In-Löslichkeit in der Schicht zu erhöhen, und (ii) die optische Qualität der Schichten zu verbessern. Unsere analytischen Arbeiten stützen sich auf die direkte Korrelation von optischen Eigenschaften und Struktur mit elektronenmikroskopischen Methoden. Wir verwenden in diesem Projekt an identischen Proben die hochauflösende Strukturabbildung, die energiegefilterte Abbildung, die Kathodolumineszenz im Transmissionselektronenmikroskop und die Elektronenholographie. Unsere mikroskopischen Analysen sollen mit solchen aus integrierenden Methoden verglichen und deren statistische Signifikanz gesichert werden. Zur Analyse der Nahordnung verwenden wir die diffuse Röntgenstreuung.