アモルファスシリコン縦形トランジスタの動特性の評価
アモルファスシリコン縦形トランジスタの動特性の評価
批准号:
62750344
负责人:
内田 恭敬
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
深さ方向分解能の高いオージェ電子分光法によるSi/Geヘテロ界面の評価
-
批准号:06650032
-
项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1994
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位:
不純物ラジカルを用いた新しい導電率制御法の研究
-
批准号:04750259
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.51万
-
财政年份:1992
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位:
分布しきい電圧型薄膜トランジスタの製作
-
批准号:02750323
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1990
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位:
新構造による薄膜トランジスタの高性能化
-
批准号:01750370
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.64万
-
财政年份:1989
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位:
縦形トランジスタを用いた高速(MHzレート)集積回路
-
批准号:63750380
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.64万
-
财政年份:1988
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位:
シリコンの常圧低温熱酸化法の研究
-
批准号:61750007
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.58万
-
财政年份:1986
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位:
アモルファスシリコン内電子移動度の精密測定
-
批准号:58750007
-
项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
-
资助金额:$0.61万
-
财政年份:1983
-
负责人:内田 恭敬
-
依托单位: