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不純物ラジカルを用いた新しい導電率制御法の研究

不純物ラジカルを用いた新しい導電率制御法の研究
利用杂质自由基控制电导率的新方法研究
批准号：
04750259
负责人：
内田 恭敬
金额：
$0.51万
依托单位：
Teikyo University of Science & Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04750259/
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深さ方向分解能の高いオージェ電子分光法によるSi/Geヘテロ界面の評価
  • 批准号：
    06650032
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    内田 恭敬
  • 依托单位：
    Teikyo University of Science & Technology
分布しきい電圧型薄膜トランジスタの製作
  • 批准号：
    02750323
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    内田 恭敬
  • 依托单位：
    Teikyo University of Science & Technology
新構造による薄膜トランジスタの高性能化
  • 批准号：
    01750370
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1989
  • 负责人：
    内田 恭敬
  • 依托单位：
    Takushoku University
縦形トランジスタを用いた高速(MHzレート)集積回路
  • 批准号：
    63750380
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1988
  • 负责人：
    内田 恭敬
  • 依托单位：
    Takushoku University