深さ方向分解能の高いオージェ電子分光法によるSi/Geヘテロ界面の評価

使用高深度分辨率俄歇电子能谱评估 Si/Ge 异质界面

• 批准号: 06650032
• 负责人: 内田 恭敬
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Teikyo University of Science & Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650032/
• 关键词: オージェ光電子分光; ヘテロ界面; 原子層エッチング; 偏析

オージェ光電子分光装置の試料台にアッタッチメントを取り付け試料台の傾斜角度を原子層オーダーで測定できるような70度まで傾けられるようにした。しかしながら試料の極最表面に残留する炭素の為光電子の信号が減衰してしまい十分な分解能が得られなかった。どの段階で表面に炭素が付着するのかを系統的に調べた結果、ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプの組み合わせの系ではロードロック部分に付着している炭素の影響が大きく表面に数原子層の堆積を生じてしまい検出したい1原子層の信号が減衰してしまい上手く測定ができなかった。そこで、本研究助成で購入したイオンポンプ及びソ-プションポンプの排気系とした。これにより基板表面の炭素汚染は1原子層以下に抑えることができた。XPSの測定結果と各種の偏折モデルを考慮した理論計算とのフィッティングから4原子層シリコンを成長させた試料において最表面に1層ゲルマニウムが偏析しているほか基板との界面から1層目に約10%程度のゲルマニウムの偏析があると推定される結果も得られ、オージェ電子分光法では表面第1層の偏析しているゲルマニウム層の影響が大きくエッチングによりこの層を取り除かなければ正確な評価が難しいことが分かった。原子層エッチングではシリコン及びゲルマニュウムについて行った。ゲルマニウムについては再現性が得られなかったため原子層エッチングのメカニズムを明らかにするためシリコンの(111)面を用いてセルフリッミトのための吸着とエッチングのための脱離を時間的に分離し温度変調を用いて1サイクルあたり1/6原子層のエッチングを実現した。この温度はかなり高温であるのでゲルマニウムとのヘテロ構造にはそのまま応用できないので低温化をはかる必要があり現在検討中である。

The photovoltaic spectrometer is used to determine the temperature of 70 degrees Celsius, the temperature of 70 degrees, the temperature of 70 degrees, and the temperature of 70 degrees. The residual carbon on the most surface of the raw material is the signal of photoelectrics. it can be easily decomposed. The carbon on the surface of this section is responsible for the experimental results of the system, and the molecular structure is used to determine the number of atoms on the surface of the system. The purpose of this study is to help students to participate in the study, and to help them to participate in this study. The carbon on the surface of the substrate is stained with carbon below the atom. The results of the XPS test show that all kinds of deflection test results are based on the theoretical calculation of the growth and growth of the raw materials. The results show that the surface of the substrate is about 10% higher than that of the substrate, and the results show that the results are satisfactory. X-ray photoelectron spectroscopy is used to determine the first phase of the surface segregation. This is the most important thing in the system. The atoms are not in the first place, but not in the air. The temperature of the separation temperature is different from the temperature at which the temperature of the separation is detected. The temperature of the separation temperature is different from the temperature at which the separation temperature is detected. The temperature, temperature

项目成果

S.Imai: "Atomic Layer Etching of Si by Thermal Desorption method" MRS Fall Meeting. (Abstract). E8.9 (1994)

S.Imai：“通过热解吸法对硅进行原子层蚀刻”MRS 秋季会议。