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反応スパッタ法による垂直磁気異方性をもつ鉄窒化膜の作製と膜構造の評価

反応スパッタ法による垂直磁気異方性をもつ鉄窒化膜の作製と膜構造の評価
反应溅射法制备垂直磁各向异性氮化铁薄膜及薄膜结构评价
批准号：
62750699
负责人：
中村 吉男
金额：
$0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1987
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1987 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62750699/
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還流磁区の回転をビットとする高密度磁気記録方式実現への先導研究
  • 批准号：
    14655227
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    中村 吉男
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
ヘテロバレント化合物半導体CuInSe_2の規則―不規則変態
  • 批准号：
    11123208
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $0.51万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    中村 吉男
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
構造空孔を含む多元化合物半導体のメソスコピックな相安定化機構
  • 批准号：
    10874049
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    中村 吉男
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態
  • 批准号：
    10136212
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    中村 吉男
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology