構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態
構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態
批准号:
09242210
负责人:
中村 吉男
金额:
$1.73万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態を行うものとして、本年度はIn2Te3について研究を行った.従来の研究によれば610℃以上でカチオン位置にInと構造空孔が不規則に分布した不規則相,以下で構造空孔が規則化した空孔規則相の相変態があるとされていた.粉末X線回析法ならびに高分解能電子顕微鏡法を用いた構造研究で確かに低温相は空孔規則相(空間群Imm2)であることが明らかとなったが,高温相は単純な不規則固溶体ではなかった.Ga2Se3やGa2Te3のように構造空孔の一部が{111}に集合して空孔面をつくり,それが{111}面約15枚毎に不規則に分布しているメソスコピック相であった.幾何学的な考察からこの空孔面密度ではカチオン位置のすべての構造空孔を収容することはできず,一部の構造空孔は空孔面に囲まれた内部にも存在することが示唆された.このような構造空孔の収容形態の二面性は低温相への相変態の二面性をもたらした.すなわち空冷程度のかなり早い冷却速度で固溶空孔は規則化し,直径数百Åの低温相となる.しかし空孔面上の空孔はなかなか相変態には寄与せず,低温相の核は存在しても変態はなかなか進行しない.この状態を高分解能電子顕微鏡で確かめることができた.このような早い相変態と遅い相変態の二面性は高温相が単位胞レベルで不均質,メソスコピックな領域で均質であるメソスコピック相特有な現象と解釈された.
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T.Hanada, F.Izumi, Y.Nakamura, O.Nittono, Q.Huang and A.Santoro: "NEUTRON AND ELECTRON DIFFRACTION STUDIES OF ZnGa2Se4" phisica B. (1997)
T.Hanada、F.Izumi、Y.Nakamura、O.Nittono、Q.Huang 和 A.Santoro:“ZnGa2Se4 的中子和电子衍射研究” phisica B. (1997)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Hanada, A.Yamana, Y.Nakamura O.Nittono and T.Wada: "Crystal structure of CuIn3Se5 semiconductor studied by Electron and X-ray diffraction" Jpn.J.Appl.Phys.36. L1494-L1497 (1997)
T.Hanada、A.Yamana、Y.Nakamura O.Nittono 和 T.Wada:“通过电子和 X 射线衍射研究 CuIn3Se5 半导体的晶体结构”Jpn.J.Appl.Phys.36。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Suzuki, T.Uenoyama, T.Wada, T.Hanada and Y.Nakamura: "Effect of crystal symmetry on electronic structures of CuInSe2 and CuIn3Se5" Jpn.J.Appl.Phys.36. L1139-L1141 (1997)
M.Suzuki、T.Uenoyama、T.Wada、T.Hanada 和 Y.Nakamura:“晶体对称性对 CuInSe2 和 CuIn3Se5 电子结构的影响”Jpn.J.Appl.Phys.36。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Tanaka, S.Nagakura, Y.Nakamura and Y.Hirotsu.: "Electron Crystallography study of Tempered Iron-Nitrogen Martensite and Structure Refinement of Precipitated α^<11>-Fe16N2" Acta Mater.45. 1401-1410 (1997)
H.Tanaka、S.Nagakura、Y.Nakamura 和 Y.Hirotsu.:“回火铁氮马氏体的电子晶体学研究和沉淀 α^<11>-Fe16N2 的结构细化”Acta Mater.45(1997 年) )
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
中村吉男,花田 剛: "構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック転移" 電子顕微鏡. 32. 150-154 (1997)
Yoshio Nakamura、Tsuyoshi Hanada:“含有结构空位的化合物半导体中的有序介观转变”电子显微镜。 32. 150-154 (1997)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
還流磁区の回転をビットとする高密度磁気記録方式実現への先導研究
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批准号:14655227
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2002
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
ヘテロバレント化合物半導体CuInSe_2の規則―不規則変態
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批准号:11123208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1999
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
構造空孔を含む多元化合物半導体のメソスコピックな相安定化機構
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批准号:10874049
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1998
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態
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批准号:10136212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1998
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
III_2VI_3化合物を基本とする自発的量子箱構造を持つ半導体の構造と物性
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批准号:07650006
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1995
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
CVD法による光学的異方性を持つGa_2Se_3の育成と構造評価
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批准号:05750631
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
反応スパッタ法による垂直磁気異方性をもつ鉄窒化膜の作製と膜構造の評価
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批准号:62750699
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
高分解能電子顕微鏡法による炭素鋼マルテンサイト中の異常相の構造研究
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批准号:59750553
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1984
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负责人:中村 吉男
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依托单位:
海外基金