構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態

含结构空位化合物半导体的有序介观相变

• 批准号: 09242210
• 负责人: 中村 吉男
• 金额: $ 1.73万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09242210/
• 关键词: 相変態; 構造空孔; 高分解能電子顕微鏡; 核発生; メソスコピック; 規則構造

構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態を行うものとして、本年度はIn2Te3について研究を行った.従来の研究によれば610℃以上でカチオン位置にInと構造空孔が不規則に分布した不規則相,以下で構造空孔が規則化した空孔規則相の相変態があるとされていた.粉末X線回析法ならびに高分解能電子顕微鏡法を用いた構造研究で確かに低温相は空孔規則相(空間群Imm2)であることが明らかとなったが,高温相は単純な不規則固溶体ではなかった.Ga2Se3やGa2Te3のように構造空孔の一部が{111}に集合して空孔面をつくり,それが{111}面約15枚毎に不規則に分布しているメソスコピック相であった.幾何学的な考察からこの空孔面密度ではカチオン位置のすべての構造空孔を収容することはできず,一部の構造空孔は空孔面に囲まれた内部にも存在することが示唆された.このような構造空孔の収容形態の二面性は低温相への相変態の二面性をもたらした.すなわち空冷程度のかなり早い冷却速度で固溶空孔は規則化し,直径数百Åの低温相となる.しかし空孔面上の空孔はなかなか相変態には寄与せず,低温相の核は存在しても変態はなかなか進行しない.この状態を高分解能電子顕微鏡で確かめることができた.このような早い相変態と遅い相変態の二面性は高温相が単位胞レベルで不均質,メソスコピックな領域で均質であるメソスコピック相特有な現象と解釈された.

The hollowing hole contains the half-body rule of the compound-this year's In2Te3 study will be conducted in the current year. To study the location of In holes above 610 ℃, the distribution of hollow holes is not in accordance with the rules, and the following rules standardize the rules of empty holes. Powder X-ray analysis method and high decomposition energy electron microanalysis method is used to verify that the low temperature phase void rule (air group Imm2) is sensitive to temperature, and that the high temperature phase does not affect the temperature of solid solution. Ga2Se3

项目成果

T.Hanada, F.Izumi, Y.Nakamura, O.Nittono, Q.Huang and A.Santoro: "NEUTRON AND ELECTRON DIFFRACTION STUDIES OF ZnGa2Se4" phisica B. (1997)

T.Hanada、F.Izumi、Y.Nakamura、O.Nittono、Q.Huang 和 A.Santoro：“ZnGa2Se4 的中子和电子衍射研究” phisica B. (1997)

T.Hanada, A.Yamana, Y.Nakamura O.Nittono and T.Wada: "Crystal structure of CuIn3Se5 semiconductor studied by Electron and X-ray diffraction" Jpn.J.Appl.Phys.36. L1494-L1497 (1997)

T.Hanada、A.Yamana、Y.Nakamura O.Nittono 和 T.Wada：“通过电子和 X 射线衍射研究 CuIn3Se5 半导体的晶体结构”Jpn.J.Appl.Phys.36。

M.Suzuki, T.Uenoyama, T.Wada, T.Hanada and Y.Nakamura: "Effect of crystal symmetry on electronic structures of CuInSe2 and CuIn3Se5" Jpn.J.Appl.Phys.36. L1139-L1141 (1997)

M.Suzuki、T.Uenoyama、T.Wada、T.Hanada 和 Y.Nakamura：“晶体对称性对 CuInSe2 和 CuIn3Se5 电子结构的影响”Jpn.J.Appl.Phys.36。

H.Tanaka, S.Nagakura, Y.Nakamura and Y.Hirotsu.: "Electron Crystallography study of Tempered Iron-Nitrogen Martensite and Structure Refinement of Precipitated α^<11>-Fe16N2" Acta Mater.45. 1401-1410 (1997)

H.Tanaka、S.Nagakura、Y.Nakamura 和 Y.Hirotsu.：“回火铁氮马氏体的电子晶体学研究和沉淀 α^<11>-Fe16N2 的结构细化”Acta Mater.45（1997 年） ）

中村吉男,花田 剛: "構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック転移" 電子顕微鏡. 32. 150-154 (1997)

Yoshio Nakamura、Tsuyoshi Hanada：“含有结构空位的化合物半导体中的有序介观转变”电子显微镜。 32. 150-154 (1997)