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構造空孔を含む化合物半導体の規則-メソスコピック相変態

含结构空位化合物半导体的有序介观相变

基本信息

批准号：
10136212
负责人：
中村吉男
金额：
$ 1.54万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
1998
资助国家：
日本
起止时间：
1998 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

規則ーメソスコピック相変態する構造空孔を含む化合物半導体としてIn2Te3についてその相変熊挙動と速度論敵取り扱いについて研究を行った.高温相の試料をTc直下の610℃で時効すると空孔面を形成していない固溶空孔の一部は空孔面で取り囲まれた領域で不均一各発生し,その結晶しサイズが小さなことに起因する散漫な低温相のX線回折ピークを与えた.しかしこれは低温相の核として生成したものではない,X線回折では低温相の回折反射が認められるにも関わらず,Tc直下では反応はこれ以上進行しない.これは空孔面がマトリックス部に溶解する反応がきわめて遅いためである.メソスコピック相では結晶全体として平均価電子数4を守るだけでなく,局所の対称性としても有利な4配位のTeを効率的に生成すべく空孔を最密面である{111}面に相分離することなく析出させる.この状況ではマトリックス部の空孔濃度は低いことが望まれ,特にTc直下ではマトリックス部の空孔濃度は低温相領域とも空孔面ともほぼ平衡している.固溶空孔濃度の高い領域からの低温相領域発生ではなく組織的には2相域から単相の規則相が生成しているとみなされる点が反応を遅らせている理由といえる.すなわち相としては単相から単相への規則化といえるが,組織的には2相から単相への相変熊であることが高温相がメソスコピック相であることによって生じた.これらはすべて高温相が単位胞レベルで不均質,メソスコピックな領域で均質であるメソスコピック相特有な現象と理解された.

Rule of law: structure, void, compound, semiconductor, In2Te3, phase, motion, velocity, etc. High temperature phase of the sample Tc directly below 610℃ when the void surface is formed, part of the solid solution void surface is selected, the field is not uniform, the crystallization is small, the cause of the low temperature phase X-ray reflection is scattered, and so on. X-ray reflection of low temperature phase is reflected directly below Tc. This is the first time I've ever seen a person who's been in a relationship with someone else. The average number of electrons in the crystal population is 4. The symmetry of the crystal population is 4. The efficiency of the coordination is 4. The formation of voids is the densest surface of the crystal population. In this case, the pore concentration in the pore area is low. In particular, the pore concentration in the pore area is low. The high void concentration of solid solution in the region from the low temperature phase domain to the formation of the structure of the two phase domain from the single phase to the regular phase to the formation of the point from the reverse phase to the middle of the reason. In the case of high temperature phase, it is necessary to adjust the phase structure of the two phases. The high temperature phase is a single cell, heterogeneous, homogeneous domain, and unique phase phenomenon.