Elektronenkonfiguration, Koordination und Reaktivität von Fe-Ionen an Grenzflächen von modifizierten Sulfidhalbleitern

点击翻译按钮获取中文摘要

Das Vorhaben soll, ausgehend von Fe-S-Referenzsystemen wie FeS2, CuFeS2 und FeAsS, Zusammenhänge zwischen Elektronenkonfiguration, Koordination und Stabilität von ZnS-CuInS2-Mischkristallhalbleitern aufzeigen und den Einfluß von Fremdmetallen aufklären, die in die Oberfläche und einen oberflächennahen Dünnschichtbereich eindringen. Die vorgesehenen Arbeiten gehen von neuen Erkenntnissen zum Mechanismus des Elektronentransfers zwischen Sulfidoberflächen und Redoxspezies an Grenzflächen aus. Sie sollen Mechanismen von Oxidation- und Verdrängungsreaktionen bei Abscheidung, Lösung und Komplexbildung insbesondere an der Grenzfläche zu wäßrigen Lösungen aufklären, wobei herauszufinden ist, wie die Reaktivität der Sulfidoberflächen durch Metall- bzw. Schwefelspezies in variierenden Bindungszuständen bestimmt wird und wie man sie gezielt beeinflussen kann. Es sollen Elektronen- (XPS, UPS, AES) und Röntgenspektroskopie (XES, XANES) teilweise unter Nutzung von Synchrotronstrahlung sowie die Rastermikroskopie und Techniken zur Überführung von naßchemisch präparierten Materialien in das UHV unter inerten Bedingungen eingesetzt werden. Theoretische Untersuchungen mit Hilfe von Clustermodellen (SCF-Xa-SW) werden die analytischen Arbeiten ergänzen.