Virtuelle Substrate für die Heterointegration

Die leichte Integrationsfähigkeit ist eine der whichtigsten Randbedingungen in der modern microelektronik。虚拟基板的设计与应用：单片集成、微弹性、反弹性、硅基异质结构、硅微电子元件等。as virtuelle substrate best best as einem <s:1> blichen si - substrate mit einer dnnen, elastisch relaxierten SiGe Pufferschicht, die dem substrate zu einer größeren oberflächigen Gitterkonstante verhilft。Die Optimierung der relaxierten Pufferschicht ter werkstoffwissenschaftlicher sight f7, Die dicken, gradierderpuffern, Die f8, Die microelektronische Integration, der schwereinsetzbar。在电子技术的基础上，建立了一种新型的超<s:1>纳米硅脉冲发生器<e:1>衬底。technical ischer Ansatzpunkt f<e:1>为die Optimierung des relaxationsorgangs die in situ injection von punktdefkten， welche die Ausbildung des not endigen Netzwerks von Fehlanpassungsversetzungen erleichtern。Die Auswirkungen der “ virtual基材”-Qualität werden直接为batachtet mit ininfachen testbauementen， deren Eigenschaften mit modelellvorstellungen verglichen werden。

Die leichte Integrationsfähigkeit ist eine der wichtigsten Randbedingungen in der modernen Mikroelektronik. Das Konzept des virtuellen Substrats erlaubt die monolithische Integration von neuartigen elastisch verspannten SiGe Heterostrukturbauelementen mit der konventionellen Si-Mikroelektronik. Das virtuelle Substrat besteht aus einem üblichen Si-Substrat mit einer dünnen, elastisch relaxierten SiGe Pufferschicht, die dem Substrat zu einer größeren oberflächigen Gitterkonstante verhilft. Die Optimierung der relaxierten Pufferschicht unter werkstoffwissenschaftlicher Sicht führte zu dicken, gradierten Puffern, die für die mikroelektronische Integration nur schwer einsetzbar sind. Das vorliegende Vorhaben zielt unter Elektronikgesichtspunkten auf eine Optimierung ultradünner SiGe Puffer für virtuelle Substrate. Technischer Ansatzpunkt für die Optimierung des Relaxationsvorgangs ist die in situ Injektion von Punktdefekten, welche die Ausbildung des notwendigen Netzwerks von Fehlanpassungsversetzungen erleichtern. Die Auswirkungen der "virtuellen Substrat"-Qualität werden direkt beobachtet mit einfachen Testbauelementen, deren Eigenschaften mit Modellvorstellungen verglichen werden.