Technologie monolithisch integrierter Millimeteremitter auf Silizium

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Für Anwendungen in der mikrozellularen breitbandigen Millimeterwellenkommunikation werden frequenzstabile rauscharme Millimeterwellenemitter im Frequenzbereich oberhalb 60 GHz und mit Ausgangsleistungen im Milliwattbereich benötigt. Die Millimeterwellenemitter sollen als monolithisch integrierte Schaltkreise auf Silizium realisiert werden. Im Rahmen des Forschungsprojektes werden monolithisch integrierte IMPATT Oszillatoren auf hochohmigen ( 1000Wcm) ungedünnten Si-Substraten realisiert und getestet. Für die mit MBE hergestellte Schichtstruktur und für das laterale Bauelementdesign fließen die im ersten Abschnitt gewonnenen Erkenntnisse über den Ionisationskoeffizienten, die Lawinenfrequenz und das thermische Verhalten ein. Der Entwurf von Teststrukturen für S-Parameter-Messungen von passiven Netzwerken und Schaltungen orientiert sich an den im ersten Abschnitt erzielten Ergebnissen der TU München. Ungehäuste Chips und Wafer werden dem Lehrstuhl für Hochfrequenztechnik, Professor Russer, zur Verfügung gestellt.