Monolothisch integrierter mm-Wellen Radarchip für Anwendungen in der Medizin (mm-Radar-IC)

用于医疗应用的单片集成毫米波雷达芯片(毫米雷达 IC)

基本信息

项目摘要

Der Entwurf, die Simulation, Realisierung und Vermessung eines mm-Wellen Radar Chip in SIMMWIC (silicon monolithic mm-wave integrated circuit) wird vorgeschlagen. Der Leistungsbereich (μW) und die Integration aller „Front-End“ Subsysteme inklusive Planarantenne sind zugeschnitten auf extreme Miniaturisierungs-Anforderungen, wie z. B. in der Medizintechnik. Die monolithische Integration einer planaren Antenne mit einem Oszillator- und Detektorschaltkreis erfolgt auf je einem Si-Chip von kleiner 1cm². Als aktive Bauelemente werden mm-Wellen Dioden eingesetzt, deren Integration auf Si möglich wird durch vertikale Nanometerstrukturen, die mit Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden.Dieser mm-Wellen Radar Chip im Frequenzbereich 60GHz – 90GHz, der später z.B. in ein Endoskop eingebaut werden kann, strahlt mm-Wellen geringer Leistung ab, deren von der Umgebung reflektierte Antwort im Empfangschip detektiert wird. Wegen der begrenzten Eindringtiefe von mm-Wellen in Materialien (z.B. typisch einige mm in Gewebe) ist die reflektierte Antwort charakteristisch für die Oberflächenbeschaffenheit des vom Strahl getroffenen Bereichs.
本文介绍了一种基于SIMMWIC(硅单片毫米波集成电路)的毫米波雷达芯片的设计、仿真、实现和测试。微瓦(μW)激光器和集成化的阿勒前端”子系统包括极小型化的平面天线。B。in der der Medizintechnik.单片集成是一个平面的集成电路,它带有一个小尺寸的硅芯片和一个探测器。采用垂直纳米结构集成硅基韦尔登光电二极管,并采用分子激光器进行韦尔登探测,该毫米韦伦雷达芯片频率范围为60 GHz-90 GHz,频率范围为20 GHz-30 GHz。在一个韦尔登建筑物中,一个人的健康状况很好,他可以从建筑物的反光中找到答案。Wegen der begrenzten Eindringtiefe von mm-Wellen in Materialien(z.B. Gewebe中的一个典型mm)ist die reflektierte Antwort charakteristisch für die Oberflächenbeschaffenches des vom Strahl getroffenen Bereichs.

项目成果

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SIMMWIC integration of millimeter-wave antenna with two terminal devices for medical applications
SIMMWIC 毫米波天线与医疗应用两个终端设备的集成
S-parameter characterization and lumped-element modelling of millimeter-wave single-drift impact-ionization avalanche transit-time diode
毫米波单漂移碰撞电离雪崩渡越二极管的 S 参数表征和集总元件建模
  • DOI:
    10.7567/jjap.55.04ef03
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    W. Zhang;Y. Yamamoto;M. Oehme;K. Matthies;A. I. Raju;V.S. S. Srinivasan;R. Körner;M. Gollhofer;S. Bechler;H. Funk;B. Tillack;E. Kasper;J. Schulze
  • 通讯作者:
    J. Schulze
S-parameter based device-level C-V measurement of p-i-n single-drift IMPATT diode for millimeter-wave applications
  • DOI:
    10.1109/ieee-iws.2016.7585419
  • 发表时间:
    2016-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Wogong Zhang;M. Oehme;K. Kostecki;K. Matthies;V. Stefani;Ashraful I. Raju;D. Noll;V. S. Senthil Srinivasan;R. Korner;E. Kasper;J. Schulze
  • 通讯作者:
    Wogong Zhang;M. Oehme;K. Kostecki;K. Matthies;V. Stefani;Ashraful I. Raju;D. Noll;V. S. Senthil Srinivasan;R. Korner;E. Kasper;J. Schulze
A monolithic integrated 85 GHz schottky rectenna with dynamic tuning range of the conversion voltage
具有转换电压动态调谐范围的单片集成 85 GHz 肖特基整流天线
Small-signal IMPATT diode characterization for mm-wave power generation in monolithic scenarios
单片场景中毫米波发电的小信号 IMPATT 二极管表征
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    2011
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