Monolothisch integrierter mm-Wellen Radarchip für Anwendungen in der Medizin (mm-Radar-IC)
用于医疗应用的单片集成毫米波雷达芯片(毫米雷达 IC)
基本信息
- 批准号:193716063
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2012
- 资助国家:德国
- 起止时间:2011-12-31 至 2015-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Der Entwurf, die Simulation, Realisierung und Vermessung eines mm-Wellen Radar Chip in SIMMWIC (silicon monolithic mm-wave integrated circuit) wird vorgeschlagen. Der Leistungsbereich (μW) und die Integration aller „Front-End“ Subsysteme inklusive Planarantenne sind zugeschnitten auf extreme Miniaturisierungs-Anforderungen, wie z. B. in der Medizintechnik. Die monolithische Integration einer planaren Antenne mit einem Oszillator- und Detektorschaltkreis erfolgt auf je einem Si-Chip von kleiner 1cm². Als aktive Bauelemente werden mm-Wellen Dioden eingesetzt, deren Integration auf Si möglich wird durch vertikale Nanometerstrukturen, die mit Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden.Dieser mm-Wellen Radar Chip im Frequenzbereich 60GHz – 90GHz, der später z.B. in ein Endoskop eingebaut werden kann, strahlt mm-Wellen geringer Leistung ab, deren von der Umgebung reflektierte Antwort im Empfangschip detektiert wird. Wegen der begrenzten Eindringtiefe von mm-Wellen in Materialien (z.B. typisch einige mm in Gewebe) ist die reflektierte Antwort charakteristisch für die Oberflächenbeschaffenheit des vom Strahl getroffenen Bereichs.
本文介绍了一种基于SIMMWIC(硅单片毫米波集成电路)的毫米波雷达芯片的设计、仿真、实现和测试。微瓦(μW)激光器和集成化的阿勒前端”子系统包括极小型化的平面天线。B。in der der Medizintechnik.单片集成是一个平面的集成电路,它带有一个小尺寸的硅芯片和一个探测器。采用垂直纳米结构集成硅基韦尔登光电二极管,并采用分子激光器进行韦尔登探测,该毫米韦伦雷达芯片频率范围为60 GHz-90 GHz,频率范围为20 GHz-30 GHz。在一个韦尔登建筑物中,一个人的健康状况很好,他可以从建筑物的反光中找到答案。Wegen der begrenzten Eindringtiefe von mm-Wellen in Materialien(z.B. Gewebe中的一个典型mm)ist die reflektierte Antwort charakteristisch für die Oberflächenbeschaffenches des vom Strahl getroffenen Bereichs.
项目成果
期刊论文数量(5)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
SIMMWIC integration of millimeter-wave antenna with two terminal devices for medical applications
SIMMWIC 毫米波天线与医疗应用两个终端设备的集成
- DOI:10.1109/sirf.2015.7119855
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:E. Kasper;W. Zhang
- 通讯作者:W. Zhang
S-parameter characterization and lumped-element modelling of millimeter-wave single-drift impact-ionization avalanche transit-time diode
毫米波单漂移碰撞电离雪崩渡越二极管的 S 参数表征和集总元件建模
- DOI:10.7567/jjap.55.04ef03
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:W. Zhang;Y. Yamamoto;M. Oehme;K. Matthies;A. I. Raju;V.S. S. Srinivasan;R. Körner;M. Gollhofer;S. Bechler;H. Funk;B. Tillack;E. Kasper;J. Schulze
- 通讯作者:J. Schulze
S-parameter based device-level C-V measurement of p-i-n single-drift IMPATT diode for millimeter-wave applications
- DOI:10.1109/ieee-iws.2016.7585419
- 发表时间:2016-03
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Wogong Zhang;M. Oehme;K. Kostecki;K. Matthies;V. Stefani;Ashraful I. Raju;D. Noll;V. S. Senthil Srinivasan;R. Korner;E. Kasper;J. Schulze
- 通讯作者:Wogong Zhang;M. Oehme;K. Kostecki;K. Matthies;V. Stefani;Ashraful I. Raju;D. Noll;V. S. Senthil Srinivasan;R. Korner;E. Kasper;J. Schulze
A monolithic integrated 85 GHz schottky rectenna with dynamic tuning range of the conversion voltage
具有转换电压动态调谐范围的单片集成 85 GHz 肖特基整流天线
- DOI:10.1109/rfit.2014.6933240
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:W. Zhang;E. Kasper;M. Oehme;M. Kaschel;V. Stefani;J. Schulze
- 通讯作者:J. Schulze
Small-signal IMPATT diode characterization for mm-wave power generation in monolithic scenarios
单片场景中毫米波发电的小信号 IMPATT 二极管表征
- DOI:10.1109/essderc.2016.7599600
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:W. Zhang;M. Oehme;K. Matthies;V. Stefani;A. I. Raju;E. Kasper;J. Schulze
- 通讯作者:J. Schulze
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