Investigation on the interaction between structural defects and electrically active point defects in undoped GaAs

未掺杂GaAs中结构缺陷与电活性点缺陷相互作用的研究

• 批准号: 5234360
• 负责人: Professor Dr. Winfried Siegel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Experimentelle Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5234360?language=en
• 关键词: Investigation; interaction; between; structural; defects

Der Kenntnisstand über die durch die Versetzungsverteilung bedingten elektrischen Inhomogenitäten in undotiertem hochohmigem GaAs hat sich in den letzten Jahren deutlich erweitert. Doch gibt es noch erhebliche Lücken insbesondere im Verständnis der für diese Inhomogenitäten verantwortlichen Defekt- bzw. Verunreinigungsanreicherung in den Zellwänden. Informationen über die dieser Anreicherung zugrundeliegende Wechselwirkung zwischen Versetzungen und Punktdefekten sollen einerseits Untersuchungen der in der Umgebung einzelner isolierter Versetzungen auftretenden Veränderungen elektrischer Eigenschaften mittels einer neu entwickelten hochauflösenden Variante des Punktkontaktverfahrens und andererseits die Erfassung der zwischen Zellwänden und Zellzentren auftretenden Konzentrationsunterschiede mitteltiefer Niveaus mittels ortsaufgelöster PICTS liefern. Diese Untersuchungen sind zunächst an undotierten GaAs-Proben aus dem Leitfähigkeitsbereich (10-4-10-8)-1cm-1 vorgesehen. Eine Erweiterung auf mittelohmiges undotiertes GaAs(Ohm = 10-4-101cm), das zunehmend als Substratmaterial an Interesse gewinnt, wird angestrebt.

derkentnisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstand, derkenisstandDoch gich noch erhebliche licken insbesonere im Verständnis der f<e:1> r diese Inhomogenitäten verantwortlichen defkt - bzw。Verunreinigungsanreicherung in den Zellwänden。Informationen ber die dieser Anreicherung zugrundeliegende wehselwirkung zwisgen Versetzungen und punktdefkten solenenderderungebung Versetzungen auftretende Veränderungen elektrischer Eigenschaften mittner neu entwickelten hochauflösenden verktkontaktverfahrens and undererseits die Erfassung der zwischen Zellwänden and Zellzentren auftretenden Konzentrationsunterschiede mitteltifer Niveaus mittels ortsaufgelöster PICTSliefern。[4][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。本文介绍了一种基于GaAs（欧姆= 10-4-101cm）的纳米材料的制备方法，并提出了一种新型的衬底材料和衬底材料的制备方法。