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真空紫外光CVD法による真性アモルファスシリコンの堆積とその物性

真空紫外光CVD法による真性アモルファスシリコンの堆積とその物性
真空紫外光CVD法沉积本征非晶硅及其物理性能
批准号：
01750017
负责人：
吉本 昌広
金额：
$0.51万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01750017/
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原料ガスの選択光励起による高品質窒化シリコンの推積と量子界面構造の形成
  • 批准号：
    07750037
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    吉本 昌広
  • 依托单位：
    Kyoto University
レーザ誘起原子層エピタキシーによる純正III-V族半導体結晶の製作
  • 批准号：
    05650301
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    吉本 昌広
  • 依托单位：
    Kyoto University
有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作
  • 批准号：
    04650267
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    吉本 昌広
  • 依托单位：
    Kyoto University
紫外光励起CVD法による絶縁膜の堆積素過程の解明とシミュレーション
  • 批准号：
    02750012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1990
  • 负责人：
    吉本 昌広
  • 依托单位：
    Kyoto University