有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作

采用有机金属分子束生长法生产真正的氮化镓晶体（一种用于光学器件的宽禁带材料）

• 批准号: 04650267
• 负责人: 吉本 昌広
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1992 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04650267/
• 关键词: 有機金属分子線成長法; 窒化ガリウム; 超高真空; 可視発光材料; 有機アミン; 高速反射電子線回析

本研究は、可視域から近紫外域で発光・受光素子の材料として期待される窒化ガリウム(GaN)の純正(高品質、高純度)結晶を成長をすることを目的としている。具体的には、超高真空雰囲気で結晶を成長する有機金属分子線成長法(MOMBE法)を用いて、蒸気圧の高い窒素の原料ガスを精密に制御して窒化ガリウムを成長することを目指している。まず、MOMBE法でガリウムリンを成長するときに、同時にアンモニアまたは有機アミン(ターシャリ-ブチルアミン)を供給し、ガリウムリン中への窒素の取り込まれる割合を二次イオン分析装置を用いて調ベた。ガリウムリンの原料ガスにはトリエチルガリウムおよびホスフィンを用いた。ホスフィンは基板に供給する前にあらかじめ熱分解している。窒素源ガスの供給に際しては、あらかじめ熱分解して基板に供給する場合と、熱分解せずにそのまま基板に供給する二通りで行った。アンモニアを窒素源としたとき、あらかじめ熱分解をするしないにかかわらず膜中への窒素の取り込みは認められなかった。タシャリ-ブチルアミンを窒素源に用いた場合は、あらかじめ熱分解せずに基板に供給したときに、ガリウムリン膜中に窒素が取り込まれた。ターシャリ-ブチルアミンをあらかじめ熱分解すると膜中への取り込みは認められなかった。そこで、トリエチルガリウムと窒素源としてあらかじめ熱分解をしないターシャリ-ブチルアミンを用いて、ガリウムリンを基板上に窒化ガリウムの成長を試みたが、窒化ガリウムの成長層は得られなかった。窒素源を改善することが今後の問題点として残った。

In this study, we look forward to the use of materials in the visible range and near-ultraviolet range and light-receiving elements. GaN (GaN) is a pure (high-quality, high-purity) crystal that has been grown for the purpose. Specifically, the organic metal molecular wire growth method (MOMBE method) is used for crystallization and growth in ultra-high vacuum atmosphere. , Steamed high pressure い suffocation element の raw material ガ ス を precision control し て suffocation ガ リ ウ ム を growth す る こ と を eye refers し い る.まず, MOMBE method of growing するときに, and にアンモニアまたは organic アミン(ターシャリ-ブチルアミン) をSupply し, ガリウムリン中への suffocation element の take り込まれる cut and combine を secondary イオン analysis device を いて adjust ベた.ガリウムリンのraw material ガスにはトリエチルガリウムおよびホスフィンを用いた. The ホスフィンは substrate is supplied with the にあらかじめthermal decomposition している. The source of suffocation is supplied by the manufacturer, and the thermal decomposition of the substrate is supplied by the manufacturer. In this case, the thermal decomposition of the substrate is necessary and the supply of the two-pass circuit is sufficient. Thermal decomposition of アンモニアをとしたとき and あらかじめいにかかわらず within the film への suffocation factor のtake り込みはcognize められなかった. The source of タシャリ-ブチルアミンを suffocation source is suitable for use in various occasions and the thermal decomposition of あらかじめWe supply high quality substrates and high quality materials in the high quality film.ターシャリ-ブチルアミンをあらかじめThermal decomposition of the film in the へのtake り込みは recognized められなかった.そこで, トリエチルガリウムと畷元としてあらかじめThermolysis をしないターシャリ-ブチルアミンを用いて, ガリウムリンをThe ガリウムリンを substrate has a ガリウムのgrowth testみたが, and the ガリウムのgrowth layer has a られなかった. The source of the problem will be improved and the problem points in the future will be improved and the remaining problems will be solved.