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紫外光励起CVD法による絶縁膜の堆積素過程の解明とシミュレーション

紫外光励起CVD法による絶縁膜の堆積素過程の解明とシミュレーション
紫外光激发 CVD 法绝缘膜沉积过程的阐明和模拟
批准号:
02750012
负责人:
吉本 昌広
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
关键词:

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原料ガスの選択光励起による高品質窒化シリコンの推積と量子界面構造の形成
  • 批准号:
    07750037
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.64万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    吉本 昌広
  • 依托单位:
レーザ誘起原子層エピタキシーによる純正III-V族半導体結晶の製作
  • 批准号:
    05650301
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1993
  • 负责人:
    吉本 昌広
  • 依托单位:
有機金属分子線成長法による光素子用ワイドギヤップ材料窒化ガリウムの純正結晶の製作
  • 批准号:
    04650267
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.28万
  • 财政年份:
    1992
  • 负责人:
    吉本 昌広
  • 依托单位:
真空紫外光CVD法による真性アモルファスシリコンの堆積とその物性
  • 批准号:
    01750017
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.51万
  • 财政年份:
    1989
  • 负责人:
    吉本 昌広
  • 依托单位: