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紫外光励起CVD法による絶縁膜の堆積素過程の解明とシミュレーション
紫外光激发 CVD 法绝缘膜沉积过程的阐明和模拟
基本信息
- 批准号：02750012
- 负责人：
- 金额：$ 0.64万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1990
- 资助国家：日本
- 起止时间：1990 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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原料ガスの選択光励起による高品質窒化シリコンの推積と量子界面構造の形成
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