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混晶半導体中の複合欠陥に関する熱力学理論の確立並びに実験的検証

混晶半導体中の複合欠陥に関する熱力学理論の確立並びに実験的検証
混晶半导体复杂缺陷热力学理论的建立及实验验证
批准号：
01750263
负责人：
市村 正也
金额：
$0.64万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01750263/
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Valence control of magnesium hydroxide: possibility of hydroxide electronics
  • 批准号：
    22K05268
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.58万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    市村 正也
  • 依托单位：
    Nagoya Institute of Technology
ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究
  • 批准号：
    10118201
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $1.15万
  • 财政年份：
    1998
  • 负责人：
    市村 正也
  • 依托单位：
    Nagoya Institute of Technology
電気化学堆積法によるCdS薄膜の物性評価と光電子素子への応用
  • 批准号：
    07750352
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    市村 正也
  • 依托单位：
    Nagoya Institute of Technology
化合物半導体-絶縁体界面の光励起プラズモンに関する研究
  • 批准号：
    04750251
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.51万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    市村 正也
  • 依托单位：
    Nagoya Institute of Technology