ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究

纳米LSI离散扩散模拟技术研究

• 批准号: 10118201
• 负责人: 市村 正也
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10118201/
• 关键词: 不純物拡散; SOI; 拡がり抵抗測定; プロセスシミュレーション

次世代超LSI用の半導体基板である絶縁体上Si(SOI)における不純物拡散の理論モデル構築に必要な基礎データを集めるため、まず不純物分布の測定手法を検討し、次いでPおよびBの拡散実験を行い既存シミュレータの計算結果と比較した。測定手法として、拡がり抵抗(SR)測定と二次イオン質量分析法を取り上げた。このうちSR測定は簡便かつ高速な測定手法であり、実用上きわめて重要だが、10^<20>cm^3以上の高濃度領域とSOI酸化膜界面付近において精度が落ちることが本研究で明らかになった。また界面付近については、酸化膜中の電荷を考慮した理論計算に基づき補正できることも実証した。拡散実験においては、SOI中でP、Bとも拡散がバルクSiに比べ遅くなることを明らかにした。これは、定性的には、酸化膜界面が格子間Siに対する吸い込み口となり、格子間Siの媒介する拡散を抑制するためである。既存のシミュレーターにて不純物分布を計算したが、特にPの場合において実測値と食い違いが見られた。このことは、従来受け入れられてきた拡散のモデル及び物理的なパラメータの値を再検討する必要があることを示唆している。以上の成果は、SOI用の微視的拡散モデル構築の基礎となるものであり、今後それに基づいてプログラム化を進める。

A theoretical study of impurity dispersion in semiconductor substrates for next-generation ultra-LSI is presented, and a comparison of calculation results of impurity dispersion in semiconductor substrates for next-generation ultra-LSI is made. Determination method, resistance (SR) determination, secondary quality analysis method The measurement of this SR is simple and fast. The measurement method is very important. The area of <20>high concentration above 10^ cm^3 is close to the interface of SOI acidified film. The accuracy is very low. The charge in the acidified film is taken into account in the theoretical calculation. In the case of SOI, P and B are the most important elements. The interface between the lattice and the acidified film is characterized by absorption and dispersion. The distribution of impurities in the existing system is calculated. This is the first time that we've had a chance to discuss this issue. The above achievements are the foundation of the dispersion structure of Weishi app for SOI, and will be further developed in the future.