化合物半導体-絶縁体界面の光励起プラズモンに関する研究
化合物半導体-絶縁体界面の光励起プラズモンに関する研究
化合物半导体-绝缘体界面光激发等离子体研究
批准号：
04750251
负责人：
市村 正也
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
Valence control of magnesium hydroxide: possibility of hydroxide electronics
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批准号：22K05268
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$1.58万
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财政年份：2022
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负责人：市村 正也
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依托单位：
ナノメータLSI用離散的拡散シミュレーション技術の研究
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批准号：10118201
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1998
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负责人：市村 正也
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依托单位：
電気化学堆積法によるCdS薄膜の物性評価と光電子素子への応用
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批准号：07750352
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1995
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负责人：市村 正也
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依托单位：
顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究
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批准号：04227217
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$0.83万
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财政年份：1992
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负责人：市村 正也
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依托单位：
顕微ラマン分光法による半導体異種接合界面の結晶構造評価
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批准号：03750221
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1991
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负责人：市村 正也
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依托单位：
混晶半導体中の複合欠陥に関する熱力学理論の確立並びに実験的検証
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批准号：01750263
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1989
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负责人：市村 正也
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依托单位：