走査型トンネル電子分光による金属-半導体界面の形成過程の研究
走査型トンネル電子分光による金属-半導体界面の形成過程の研究
扫描隧道电子能谱研究金属-半导体界面形成过程
批准号：
01750654
负责人：
富取 正彦
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
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自己組織化半導体ヘテロクラスターを利用した超高原子分解能・非接触原子間力顕微鏡の探針の創製と評価
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批准号：04F04814
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.41万
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财政年份：2004
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
走査型プローブ顕微鏡によるDNA分子の半導体表面ステップへの特異吸着の研究
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批准号：15651050
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$2.37万
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财政年份：2003
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
ヘテロ半導体-分子ナノ構造の創製と走査型プローブ顕微鏡を用いた構造・電子状態の解析
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批准号：02F00317
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.83万
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财政年份：2002
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
ヘテロ半導体-分子ナノ構造の創製と走査型プローブ顕微鏡を用いた構造・電子状態の解析
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批准号：02F02317
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.32万
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财政年份：2002
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
エネルギーフィルター電界放射顕微鏡による表面吸着電子状態解析の試み
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批准号：11875009
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1999
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
ナノスケール探針のシャドー効果による光・電子照射測定の空間分解能向上の試み
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批准号：09875009
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.22万
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财政年份：1997
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
STM/STSによる半導体微粒子の研究
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批准号：05214205
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额：$1.15万
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财政年份：1993
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
超高真空STM/STSによる化合物半導体表面の内因性欠陥の研究
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批准号：02855163
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.38万
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财政年份：1990
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
走査型トンネル顕微鏡用探針のFIM観察法の開発
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批准号：62850119
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项目类别：Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额：$3.07万
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财政年份：1987
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负责人：富取 正彦
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依托单位：
走査型トンネル顕微鏡による金属表面の極微視的観察
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批准号：62750651
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1987
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负责人：富取 正彦
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依托单位：