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複合セラミック薄膜の微構造と機能に関する研究

复合陶瓷薄膜的微观结构与功能研究

基本信息

批准号：
02403017
负责人：
金丸文一
金额：
--
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

複合膜の構成化合物単体それぞれの成膜条件を先ず検討し、その結果をベ-スに、下述の化合物の各組合せについて、同時スッパタ法を適用した複合膜の作製ならびに生成膜の評価を行った。なお積層型複合膜の作成は装置の設置が遅れたため着手したところである。(1)高熱伝導を持つ絶縁膜:BNとAlNの同時スッパッタ蒸着により、四面体構造のcBNの生成を促進することが期待できる。その基礎研究として両者の膜生成条件を検討した。BN膜では、基板温度を700℃、N_2ーH_2混合ガスを用い、cBNを含む大気中でも安定なBN膜を得ることができた。またcBN粒子のsmearingによって、cBNが生成し易くなること、即ち微粒子表面のエピタキシャル効果がスッパタ蒸着でも有効であることがわかった。AlN膜では、AlNの優先配向とスパッタガス圧との関係を明らかにするなど、BNとの積層膜作成の基礎デ-タを得た。(2)高硬度・高じん性膜:SiとTiの同時スパッタで作成した非晶質薄膜を1100及び1500℃で熱処理し、それぞれ数nm径のTiN粒子を均一分散した非晶質及びβ型Si_3N_4膜を得た。後者では、TiNとSi_3N_4界面で良い格子整合が観測された。TiNーAlN系でもNaCl型(Ti,Al)N固溶体膜の1000℃、N_2中熱処理でAlN分散TiN薄膜が作成できた。(3)電気的・磁気的機能を持つ薄膜:(i)典型的なハイブリット材料の一つであるLi_xTiS_2に関して、TiS_2膜の微構造と作成条件を検討し、Liの層間脱吸着(2次電池の充放電)反応に適する(001)面が基板に垂直な配向膜の作成条件を確立した。(ii)FeN_x系化合物では、X≦0.5の組成範囲で4ヶの結晶構造が知られているが、本研究においてX>0.5の範囲で新しい2つの結晶相が得られた。1つはウルツ鉱型結晶構造をとり、共有結合性FeーN結合を持ちながら金属的電気性質を示す。他の立方晶系の相は未同定であるが、磁性面で興味がもたれる。

The film formation conditions of the constituent compound units of the composite film were discussed in advance, and the results were determined. The preparation conditions of the composite film and the evaluation of the film formation were determined by the combination of the following compounds. The installation of multilayer composite film (1)High thermal conductivity is expected to promote the formation of BN and AlN. The basic research on the membrane formation conditions of the human body is discussed. BN film temperature is 700℃, N_2-H_2 mixture is used, cBN film is stable and contains high temperature. CBN particle smearing, cBN generation, i.e., particle surface smearing AlN film, AlN preferential alignment, BN multilayer film, the basis of the relationship between (2)High hardness and high hardness films:Si and Ti films were prepared by heat treatment at 1100 ℃ and 1500℃, TiN particles with diameters of several nm were uniformly dispersed, amorphous and β-Si_3N_4 films were obtained. The lattice-like integration of TiN and Si_3N_4 interfaces is well measured. AlN Dispersed TiN Films were formed by heat treatment in N_2 at 1000℃ in a NaCl-type (Ti,Al)N solid solution film of TiN system. (3)The electric and magnetic properties of thin films are:(i) the relationship between typical TiS_2 and Li_xTiS_2, the microstructure and the formation conditions of TiS_2 films are discussed, and the formation conditions of Li interlayer desorption (secondary battery charge state) are established. (ii)FeN_x series compounds with X <0.5 and X <0.5 and X <0.5 <0.5 and X < 1. Demonstrate the electrical properties of the metal by the combination of Fe and N. The cubic phase is not the same as the magnetic phase.