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光化学反応によるII-VI族半導体超格子の原子層エピタキシャル成長
光化学反应II-VI族半导体超晶格的原子层外延生长
基本信息
- 批准号：02855003
- 负责人：
- 金额：$ 0.64万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份：1990
- 资助国家：日本
- 起止时间：1990 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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川上 養一其他文献
AlGaN系ヘテロ構造における格子不整転位の導入箇所制御
AlGaN基异质结构中晶格失准位错引入点的控制
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- 发表时间：
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具有复杂序列的模板聚合物的动力学选择
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AlGaN/AlN量子井戸の臨界膜厚と再結合寿命の変化
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- 发表时间：
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- 作者：
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誘電体薄膜と紫外レーザー照射によるInGaN/GaN量子井戸の高効率発光
利用电介质薄膜和紫外激光照射实现 InGaN/GaN 量子阱的高效发光
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
- 作者：
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岡本 晃一
川上 養一的其他文献
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Light emitting synthesizer : aiming to create the ultimate lighting devices
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05805030 - 财政年份：1993
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