Plastische Relaxation von Si1-xGex-Schichten, makro- und mikroskopische Mechanismen

Si1-xGex 层的塑性弛豫、宏观和微观机制

• 批准号: 5240020
• 负责人: Professor Dr. Rolf Köhler
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5240020?language=en
• 关键词: Plastische; Relaxation; von; Si1; xGex

Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird. In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, daß Quergleiten bei der Relaxation eine wesentliche Rolle spielt und daß es Möglichkeiten gibt, lokal plastische Relaxation auszulösen.Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der Anfangsphase die Nucleation an bisher unbekannten Defekten und im weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung und Quergleiten bei der Propagation von Misfitversetzungen. Diese Mechamismen sollen durch die Kombination von Röntgentopographie, Atomkraftmikroskopie und vor allem Transmissionselektronenmikroskopie mittels Zielpräparation in verschiedenen Skalenbereichen untersucht werden. Diese Techniken sollen andererseits auch eingesetzt werden, um Blockierung und Quergleiten in speziell präparierten Proben untersuchen zu können.

硅-锗-混合硅衬底材料系统Für Schnelle Mikroelektronik etiert.从材料系统的角度来看，松弛的手套是不合适的，这是一件很棒的事。在这项工程中，我们将继续推进这项新的工程，我们将继续推进这项工程的发展。在世界上最大的地形图，最大的地形图和最小的地形图中，所有的机械设备都是这样的。他说：“我并不是这样做的，嗯，这是一件很重要的事情。”