Plastische Relaxation von Si1-xGex-Schichten, makro- und mikroskopische Mechanismen

Si1-xGex 层的塑性弛豫、宏观和微观机制

• 批准号: 5240020
• 负责人: Professor Dr. Rolf Köhler
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5240020?language=en
• 关键词: Plastische; Relaxation; von; Si1; xGex

Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird. In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, daß Quergleiten bei der Relaxation eine wesentliche Rolle spielt und daß es Möglichkeiten gibt, lokal plastische Relaxation auszulösen.Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der Anfangsphase die Nucleation an bisher unbekannten Defekten und im weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung und Quergleiten bei der Propagation von Misfitversetzungen. Diese Mechamismen sollen durch die Kombination von Röntgentopographie, Atomkraftmikroskopie und vor allem Transmissionselektronenmikroskopie mittels Zielpräparation in verschiedenen Skalenbereichen untersucht werden. Diese Techniken sollen andererseits auch eingesetzt werden, um Blockierung und Quergleiten in speziell präparierten Proben untersuchen zu können.

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