Plastische Relaxation von Si1-xGex-Schichten, makro- und mikroskopische Mechanismen

Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft韦尔登，da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird.在一个新的研究项目中，松弛的主要原因是局部的塑性松弛，松弛的主要原因是成核和不确定的破坏，以及在传播过程中的阻塞和阻塞。这些机械通过Röntgentopographie、Atomkraftmikroskopie和所有Transmissionselektronenmikroskopie的组合解决了Zielpräparation中的垂直Skalenbereichen untersucht韦尔登。这种技术也需要一种韦尔登，在特定的情况下可能会出现阻塞和阻塞。

Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird. In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, daß Quergleiten bei der Relaxation eine wesentliche Rolle spielt und daß es Möglichkeiten gibt, lokal plastische Relaxation auszulösen.Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der Anfangsphase die Nucleation an bisher unbekannten Defekten und im weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung und Quergleiten bei der Propagation von Misfitversetzungen. Diese Mechamismen sollen durch die Kombination von Röntgentopographie, Atomkraftmikroskopie und vor allem Transmissionselektronenmikroskopie mittels Zielpräparation in verschiedenen Skalenbereichen untersucht werden. Diese Techniken sollen andererseits auch eingesetzt werden, um Blockierung und Quergleiten in speziell präparierten Proben untersuchen zu können.