Beeinflussung des SiGe-Insel-Wachstums durch modifizierte Substrate und Weiterentwicklung der Charakterisierung von SiGe-Inseln mittels diffuser Röntgenstreuung

点击翻译按钮获取中文摘要

SiGe-Inseln können auf Silizium-Substrat mittels LPE gezüchtet werden, wobei recht homogene Größen- und Positionsverteilung erreicht wird. Die Inselgröße liegt aber mindestens um den Faktor 3 oberhalb jener ca. 10 nm Größe, bei der Quanteneffekte einsetzen würden. Ziel des vorliegenden Projekts ist es, durch die gezielte Einstellung von bestimmten Morphologien oder Spannungsverteilungen an der Substratoberfläche geringere Inselgrößen zu erzielen. In diesem Sinne sind Wachstumsexperimente auf einer Reihe unterschiedlich modifizierter Substrate geplant, deren Oberflächenmorphologie z.B. Stufenbündel (Fehlschnitt) bzw. Gleitstufen (plastisch relaxierte Zwischenschicht) usw. ausweist.Für eine gezielte Beeinflussung ist aber ein genaueres Verständnis der Inselnukleation erforderlich. Daher sind auch Wachstumsexperimente geplant, die bestimmte Aspekte der Inselnukleation erhellen sollen. Für diese Analyse der Nukleation ist eine präzise Bestimmung der elastischen Deformation in den Inseln und deren Umgebung erforderlich. Diffuse Röntgenstreuung soll dafür eingesetzt werden, was erhebliche Anstrengungen zur methodischen Weiterentwicklung bezüglich des Meßverfahrens und vor allem bezüglich der Datenauswertung erfordert.