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ヘテロ界面原子配列の超格子構造物性に及ぼす効果に関する研究

异质界面原子排列对超晶格结构物理性质的影响研究

基本信息

批准号：
02650014
负责人：
浅見久美子
金额：
$ 0.9万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究で取り上げたIII族原子、V族原子を各々2種を含むInGaAs/Inp超格子構造において原子配列制御されたヘテロ界面の形成のためには、一原子層ごとの成長プロセスにおいて、これまでに研究されているGaAs/AlGaAs系とは異なった種々の検討すべき現象があることが研究を進めるに従い明らかとなった。そこで本研究年度においては、それらの点について詳細に研究し、以下の結果を得た。(1)InP表面上では、Pを供給しない時、RHEED(反射電子線回折)パタ-ンはP安定化面である(2X4)表面再構造を示すが、350℃といった低温においても表面のP原子の一部の脱離が起こっている。この脱離の程度はInPの温度と無供給時間に依存している。そして、InとPの交互供給において、In供給前に最適な無供給時間を設けることにより、丁度単原子層分のP原子に覆われた状態で次のInを供給することができ、Inの供給量を丁度単原子層分とすることで、理想的な原子配列制御成長が可能である。このような原子配列制御成長により低温で成長したInP膜は、高温において通常のMBE成長したものに比べて同等以上のホトミネセンス発光特性を示し、光学的品質が優れている。(2)他方、InGaAs表面は、350℃といった低温においては、As供給中、As安定化面である(2X3)構造のRHEEDパタ-ンを示すが、Asの供給を停止すると、InPの場合に比べ1桁以上ゆっくりとAs原子の脱離が起こり、表面のAs原子が不足した状態の(2X4)構造のパタ-ンを示す事がわかった。そこで、In,Ga及びAの交互供給において、As供給時に(2X3)パタ-ンが見えるようにAsの供給量を最適化し、In,Gaの供給量を丁度単原子層とすることにより、理想的な原子配列制御成長が可能である。このような原子配列制御成長により低温で成長したInGaAs膜は、優れた光学的特性を示す。

In this study, we selected the InGaAs/ III atoms and V atoms, each containing a superlattice of InGaAs/ Inp, to make the configuration of the atoms to form the interface between the atoms, the growth of the atoms, and the growth of the atoms. In the course of the study, GaAs/ AlGaas has conducted a comprehensive study on the development of several kinds of medical equipment in the field of health care. This is the year of this study. the results of the following results are satisfactory. The main results are as follows: (1) when the temperature on the surface of the InP is supplied to the receiver, the RHEED (reflected electron line is folded) and the stabilized surface (2X4) is reconstructed to show the temperature. The temperature at 350 ℃ starts to separate the P atoms from the surface of the surface. The degree of isolation is related to the InP temperature and is available to the time dependent devices. The temperature, In, and so on are interactively supplied to the consumer, and the In is supplied to the most expensive equipment in the previous time.It is possible to supply the ideal atomic distribution system with the ideal atomic distribution system, which makes it possible that the In is supplied to the consumer, the In supply, the atomic distribution system, and the ideal atomic distribution system. The growth of InP films is controlled by the configuration of atoms, the growth of InP films at low temperatures, the growth of MBE films at high temperatures, the optical properties and the optical properties of the films. (2) the other party, the InGaAs surface, the temperature at 350 ℃, the low temperature temperature, the As supply, the As stabilization surface temperature (2X3), the RHEED stabilizer, the InP, the InP, the As, the surface, the temperature, the temperature, the temperature, As, In,Ga and A supply are interchangeably supplied to customers, As supplies to customers (2X3), As supplies are optimized, In,Ga supplies are sensitive to atomic temperature, and the ideal atomic configuration system may be effective. The optical properties of InGaAs films grown at low temperature and optical properties are demonstrated by atomic arrangement.