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エキソ電子放射過程の研究

外激电子发射过程研究

基本信息

批准号：
02650020
负责人：
冨田彰宏
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Osaka Electro-Communication University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02650020/
关键词：
エキソ電子放出熱ルミネッセンス

项目摘要

申請後の研究進捗を考慮し,試料導入処理装置(特注型)の設計を改善した.技術面と予算面について,製造会社との折衝に時間がかかり,発注が予定より約2ケ月遅れた.これにより本装置による研究は未着手であり,成果を出すに至っていない.この間,設計と並行して現有装置による研究を進め,いくつかの成果を得た.その代表的なものは次の通りである.不純物としてAgを含むKCI単結晶は400K付近に強い熱刺激エキソ電子放出(TSEE)と熱ルミネッセンス(TL)を生じることが知られている.このTLの主成分は275nm光で,これはAg^+の励起状態Ag^<+*>の放射減衰による発光であることはほぼ確立しているが,Ag^<+*>の生じる過程については2種類の機構が提案されている.ひとつはBohun等によるもので,Ag^o_kから解放された電子が伝導帯を通じてAg^<2+>と再結合してAg^<+*>生じるというもので,彼らは400KのTSEEは伝導帯に励起された電子で仕事関数以上のエネルギ-をもつものが結晶外に放出されているという,いわゆるMaxwellーtail型の放出機構を提案している.一方Sridaran等はAg^o_kから隣接のV_k中心への電子のトンネルによりAg^<+*>が生じるという機構を提案している.この場合,伝導帯には電子が存在しないのでBohun等による放出機構とは対立する.この点を明らかにするために,KCI:Agについて100〜600KでTSEE・TLグロ-曲線の同時測定,各TLピ-ク分光スペクトル,optical repopulation等を測定した.それらの結果から以下の機構が妥当であるとの提案をした.400KになるとAg^o_kが不安定になり電子を解放する.電子は伝導帯を移動し,Ag^<2+>と再結合してAg^<+*>を生じる.Ag^<+*>の放射減衰がTLの275nm成分であり,この過程と競合するAugerーlike的な電子放出により400KのTSEEを生じる.なお,試料導入処理装置が稼働次第,それにより得られる知見をもとにさらに研究を発展させる予定である.

After the application for research into consideration, sample introduction treatment device (special injection type) design to improve. Technical aspects and calculation aspects, production companies and the impact of time, note and predetermined The research on this device has not been started yet, and the results have been released. In the meantime, the design and parallel development of existing devices are progressing, and the results are obtained.その代表的なものは次の通りである. Impurities and Ag are contained in KCI crystals near 400K. Strong thermal stimulation and electron emission (TSEE) and thermal recovery (TL) are produced. The main component of TL is 275nm light, which is the excitation state of Ag^+. The radiation attenuation of Ag ^+*> is determined by the process of Ag^+*> generation. Bohun et al., Ag^o_k,Ag^<2+>, Ag^<+*>, Ag^<2+>, Ag ^<2+*>, Ag ^<2 +*> One side Sridaran et al. Ag^o_k In this case, the electron in the conduction band exists in Bohun and the emission mechanism exists in opposition. Simultaneous determination of TSEE·TL curves, TSEE spectra,optical repopulation, etc. at 100 ~ 600K. As a result, the following mechanisms are in place: 400K, Ag^o_k, electron liberation. The electron conduction band moves,Ag^<2+> and Ag^<+*> recombine, Ag^<+*> radiates decay, TL 275nm composition, and Ag^<+*> radiates decay. The process of Ag ^<+*> radiates decay, and Ag ^<+*> radiates decay. The sample introduction processing device is in the order of production, production, research and development.