中性子線用イメ-ジインテシファイヤの開発

中子束像增强器的开发

• 批准号: 02650293
• 负责人: 高橋 幸郎
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Saitama University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02650293/
• 关键词: 中性子ラジオグラフィ; イメ-ジインテシファイヤ; 非破壊検査

中性子ラジオグラフィのための高解像力のイメ-ジインテンシファイア(以下I.I.と略)の開発のために、I.I.の構造、製造法に関して種々の検討を行ない、試作したI.I.についてその光電特性を評価した。具体的にはI.I.の構造として、大口径で画像歪みの少ない近接型又は電磁収束型とした。この結果光電面を平面にでき、入射側の面板製作が容易なものとなった。また入力側は中性子コンバ-タ膜であるGd_2O_3/ZnSと光電膜であるSb蒸着膜の二層構造とし、出力側はZnS蛍光膜を使用した。I.I.の製法として従来とは異なる方法を開発した。即ち真空排気装置に、光電面側の面板部分と真空キャップの付いた排気チップと蛍光面板および仮焼成した低融点ガラスをシ-ル面に塗布した本体部分を分離して装着する。Sbを所定の厚さに光電面側の面板に蒸着した後、両者を加熱して接触し低融点ガラスで真空封着を行なう。次に別の高真空排気装置にこのI.I.を排気チップを用いて取り付け、装置を真空に引いた状態で排気チップよりキャップを除去し、I.I.全体をベ-キングを行なう。この排気チップよりアルカリ蒸気を送りこみ、光電面の活性化を行なった後、排気チップを封じ切る。この方法により蒸着したSbを大気に曝すことなく活性化処理が行なえるため感度が低下せず、またI.I.内部がアルカリ金属で被覆されるため、ゲッタ効果により放出ガスによる感度低下が少ない利点がある。更にこの方法は近接型、電磁収束型の両者に適用でき、また合金化のための温度制御が容易である。今後試作したI.I.を中性子ラジオグラフィ照射場において動作させ、中性子/光変換増倍感度、解像力、ガンマ線効果、感度の経時変化などの特性評価を行なう。

The neutrals have a high resolution (I.I.) A brief introduction to the opening of general training, I.I. Manufacturing, marketing, manufacturing, Optical properties, optical properties, optical properties. Specific information I.I. The camera is made with a large-caliber portrait that is crooked, and the proximity model is also an electro-magnetic beam model. The results show that the plane and incident panels of the photovoltaic surface are easy to operate. In this paper, the neutral film is used, the Gd _ 2O_3/ZnS film is used, the Sb film is steamed, the ZnS film is made, and the film is used. I.I. The method is used to make sure that the method is open for discussion. That is, "vacuum discharge device", "smooth surface" panel part "vacuum", "pay", "layout", "light panel", "low melting point", "low melting point", "" surface "," cloth "," body part "," separation "," installation ". After the thickness, glossy surface, panel steamed by Sb, the line is sealed in vacuum by adding contact with low melting point. For the second time, the high vacuum discharge device is not suitable for high vacuum equipment. Use the equipment to pick up the payment, use the vacuum to guide the status of the device, remove the vacuum, remove it, and remove it. All members of the staff will do their best to do so. After the heating of the photovoltaic surface and the activation of the photovoltaic surface, the photovoltaic surface is sealed and cut. In this paper, the method is used to steam the Sb system, which is related to the activation of the system, the sensitivity, the sensitivity, the sensitivity and the sensitivity. The internal parts of the metal are covered, and the results show that the sensitivity is low and the advantage is low. In order to improve the temperature control system of proximity type and electro-magnetic beam type, it is easy to use the temperature control system of alloy alloy. In the future, I will make an announcement I.I. The neutrons