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ゾル・ゲル法による2次電子増倍膜を用いたMCPの開発

利用溶胶-凝胶法二次电子倍增膜开发MCP

基本信息

批准号：
07650391
负责人：
高橋幸郎
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

電子増倍素子であるマクロチャネルプレート(以下MCP)の新しい製法に関する研究として、本年度は以下の様な成果が得られた。(1)MCPの基盤として感光性ガラスを導入することにより、フォトマスクにより任意の形状マイクロチャネルを形成することが可能となった。また高アスペクト比のチャネル形状を得るための露光時間および熱処理条件の最適値を見いだした。(2)マイクロチャネル内への電子増倍膜を鉛アルコキシドを用いたゾル・ゲル法により形成する方法を開発した。この方法によれば、毛細管現象を利用した高アスペクト比を有するマイクロチャネル内にアルコキシド液を均一に塗布し、鉛ガラスを用いた2次電子増倍膜を形成できる特徴がある。ゾル・ゲル法によるガラス化のための熱処理温度は600°C程度が必要であるが、この熱処理行程においてMCP基盤である感光性ガラスからシリコンが鉛ガラス内に拡散し、鉛成分が著しく低下する事が明らかになった。このためエッチングによりマイクロチャネルを形成した基盤を再度露光、熱処理により結晶化し、ガラスの軟化温度を800°C以上に高めることにより基盤から鉛ガラスへのシリコンの熱拡散を制御する事に成功した。(4)鉛ガラスの抵抗値を低下するために、ビスマスの添加を試みた。これにはビスマスのアルコキシドを鉛アルコキシドに添加混合し、ゾルゲル法によりガラス化することにより実現できる。この結果数%のビスマス添加と、水素還元時間の組み合わせにより、約7桁の範囲で膜抵抗値の制御が可能となった。また還元された鉛ガラス抵抗値は極めて安定であった。試作したMCPの増倍特性はアスペクト比7.9、印加電圧600V、入射電流50pAにおいて94倍が得られた。

The following results were obtained during the year: (1)MCP substrate is sensitive to light. The optimum exposure time and heat treatment conditions are obtained. (2)A new method for the formation of electron films in the interior of a building is developed. This method uses capillary phenomenon to form a uniform secondary electron multiplication film. The heat treatment temperature of the heat treatment process should be 600°C. The heat treatment process should be sensitive to lead, and the lead content should be low. The substrate was re-exposed, heat treated, crystallized, and softened at temperatures above 800°C. The substrate was successfully controlled by thermal dispersion. (4)The lead in the first place is the same as the lead in the second place. This is the first time I've ever seen a woman who's had sex with someone else. The result is that the membrane resistance can be controlled by adding water and reducing the time of water. It's not easy. The test results show that the MCP multiplication ratio is 7.9, the input voltage is 600V, and the input current is 50pA.