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金属ホウ化物または窒化物ーガラス系厚膜抵抗体の合成とその物性

金属硼化物或氮化物玻璃厚膜电阻的合成及其物理性能

基本信息

批准号：
02650553
负责人：
安井至
金额：
$ 1.15万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

金属ホウ化物、金属窒化物、金属ケイ化物など電気伝導性の高いセラミックスとガラスを混合して適当な電気抵抗値を持つ厚膜抵抗体を作成することに目的があるが、具体的には金属的伝導性を有するZrB_2と60ZnO・20B_2O_3・10SiO_2・10PbOガラスを適当な割合で混合して厚膜抵抗体を作成した。ガラス組成は、融解温度が低く、かつ結晶化しやすいものを選んだ。結晶化ガラスの方が、繰り返し焼結する場合に安定なためである。その結果ZrB_2に割合を50〜100%の範囲で変化させると抵抗値が10〜10^5Ωcmの範囲で変化すことがわかった。実験過程で判明したことは、ZrB_2が非常に酸化され易いことで、窒素雰囲気でもごく微量のは混入酸素の影響で酸化されて絶縁体に変化してしまうことである。したがって酸素の混入に関しては、十分な注意が必要である。今後焼結の条件を更に改善すると共に、金属ホウ化物、窒化物、ケイ化物などの種類を変えてさらに安定で抵抗値の制御幅を広げる可能性を追求していく予定である。次に同じ様な膜状抵抗体を作成する試みとして、金属電導性を有する金属ホウ化物、窒化物、ケイ化物を適当に酸化させて所定の抵抗膜を得ることを試みた。作製法としては反応性スパッタを用い、上記のセラミックスをタ-ゲット材料として酸素を少量含んだアルゴンガスを導入し、酸化物ガラスを種々の割合で含有する薄膜を合成した。タ-ゲット材料として用いたものは、ZrB_2,HfB_2、MoSi_2、HfSi_2である。いずれの場合も導入ガスの酸素濃度を変えることにより抵抗値を金属伝導性から絶縁性まで大きく変化させることができた。Mosi_2、HfSi_2の場合は、10^<ー4>〜10^5Ωcmにわたり抵抗を変化させることができ、化学的にも安定であるので、抵抗体として十分使用が可能であることが分かった。

Metal alloying products, metal asphyxiation compounds, metal alloys, high temperature alloys, high temperature alloys The composition of the alloy, the melting temperature at low temperature, the crystallization temperature and the crystallization temperature were investigated. Results the crystallization method was used for the treatment of diazepam. The results show that ZrB_2 cuts in the 50% 100% range to modify the resistance to 10 ~ 10 ^ 5 Ω cm in the range of 10 ~ 10 ^ 5 Ω. During the process, it was determined that there was a high concentration of acid, ZrB_2 was very acidified, and asphyxiate was mixed with trace amounts of acid. You should pay close attention to the necessary ingredients when you mix them with acid. In the future, the conditions will further improve the safety and stability of metals, metals, asphyxiated compounds, and metal compounds. The possibility of the system will be improved. The secondary alloy film resistance is used to form metal corrosion resistance, and the metal electricity has metal oxide, asphyxiation and corrosion resistance. When the acidizing agent determines the resistance film, the resistance film can be tested. In this paper, the chemical reaction method is used, the chemical composition of the material is determined, and a small amount of acid is found in the raw material, which contains a small amount of acid compounds. The materials will be used in different ways, such as ZrB_2,HfB_2, MoSi_2, and HfSi_2. There is no difference in the concentration of acid, acid and acid. Mosi_2, HfSi_2, 10 ^ & lt; 4 GTX, 10 ^ 5 Ω cm, resistance, chemical diazepam, antibody, and antibody are very likely to be used.