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昇温脱離法とラマン散乱法による吸着した半導体表面および金属表面の研究

昇温脱離法とラマン散乱法による吸着した半導体表面および金属表面の研究
使用程序升温解吸和拉曼散射方法研究吸附的半导体和金属表面
批准号:
02740154
负责人:
水谷 五郎
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
关键词:

项目摘要

项目成果

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