昇温脱離法とラマン散乱法による吸着した半導体表面および金属表面の研究
昇温脱離法とラマン散乱法による吸着した半導体表面および金属表面の研究
批准号:
02740154
负责人:
水谷 五郎
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
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会议论文
金属多層超薄膜を用いた高二次非線形光学媒質の開発
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批准号:10875013
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1998
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
高機能薄膜の分光学的研究
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批准号:09045031
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项目类别:Grant-in-Aid for international Scientific Research
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1997
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
光第二高調波発生法による超伝導体表面の研究
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批准号:07740251
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
光第二高調波発生法による気相からの結晶成長の素過程の研究
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批准号:05740194
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1993
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
SHGによる固体表面系の相転移の研究
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批准号:03640295
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1991
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
反射型四光波混合法による固体表面の光学的非線形性の研究
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批准号:61790088
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:水谷 五郎
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依托单位: