光第二高調波発生法による超伝導体表面の研究
光第二高調波発生法による超伝導体表面の研究
批准号:
07740251
负责人:
水谷 五郎
金额:
$0.7万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
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本研究の目的は、光第二高調波発生(SHG)をはじめとする非線形な光学応答を超伝導体について観測し、そこに含まれている超電導体の表面物性に関する情報、統計物性的情報、および,量子力学的情報を引き出そうというところにがある。この目的に従い以下の成果を挙げた。1)申請書に記した計画に従い、微弱でしかも試料形状の理由で拡がって散乱するSH光を効率よく集めるための集光系を設計製作し、また試料を冷却しながらの長時間の測定に耐えうるような、自動計測、自動昇温システムを整備した。2)第二種超電導体Nb_3Snについて光第二高調波発生の観測を試みた。光第二高調波発生は弱く、多光子励起発光が支配的であることがわかった。多光子励起発光による光も、本研究の目的に類似の情報を含むと考えられるので、その観測を行なった。超伝導状態のNb_3Snの多光子励起発光は2.3eVに強度ピークを持つ。このピーク位置はNb_3Snのフェルミ準位とNbの4dバンドの組み合わせ状態密度のピークと一致するので、発光の起源は伝導体電子とNbの4dバンドのホールの再結合と考えられる。また2.3eVにおける多光子励起発光強度を温度の関数として測定すると、超伝導転移点でするどいデイップと発光強度の変化が観測された。デイップは転移温度における超伝導ドメインのパーコレーションにより起こった光学吸収によるものと考えられる。発光強度の転移点以下の増大は、光学遷移モーメントの変化と考えた。3)YBa_2Cu_3O_7の多結晶膜,(La‐Sr)_2CuO_4の単結晶の準備が終わりこれらに関するSHG測定の実験が進行中である。4)超伝導体のドメイン構造の観察のためのSHG顕微鏡を構築し現在その性能チェックを行なっている。
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T.Yamauchi,他6名: "Surface SHG and photoemission from Cs,O_2/p‐GaAs coadsorbed system" Surface Science. (in press).
T. Yamauchi 和其他 6 人:“Cs,O_2/p-GaAs 共吸附系统的表面 SHG 和光发射”表面科学(正在出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
G.Mizutani,他4名: "Second Harmonic Generation from Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Films with a Vicinal Face:Film Thickness Dependence" Japanese Journal of Applied Physics. 35(in press). (1996)
G. Mizutani 等 4 人:“Si_<1-x>Ge_x 外延薄膜的二次谐波生成:薄膜厚度依赖性”,《日本应用物理学杂志》35(出版中)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
E.Tominaga, K.Suzuki, G.Mizutani, and S.Ushioda: "Multiphoton‐induced luminescence from supeconducting Nb3Sn" Progress in Crystal Growth & Characterization of Materials. (in press).
E.Tominaga、K.Suzuki、G.Mizutani 和 S.Ushioda:“超导 Nb3Sn 的多光子诱导发光”晶体生长和材料表征的进展(正在出版)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.Tanaka,他5名: "Optical second harmonic intensity image of multi‐layered metal film patterns" Progress in Crystal Growth & Characterization of Materials. (in press).
H. Tanaka 和其他 5 人:“多层金属膜图案的光学二次谐波强度图像”晶体生长和材料表征的进展(正在出版)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
金属多層超薄膜を用いた高二次非線形光学媒質の開発
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批准号:10875013
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1998
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
高機能薄膜の分光学的研究
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批准号:09045031
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项目类别:Grant-in-Aid for international Scientific Research
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资助金额:$2.88万
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财政年份:1997
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
光第二高調波発生法による気相からの結晶成長の素過程の研究
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批准号:05740194
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1993
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
SHGによる固体表面系の相転移の研究
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批准号:03640295
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1991
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
昇温脱離法とラマン散乱法による吸着した半導体表面および金属表面の研究
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批准号:02740154
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1990
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
反射型四光波混合法による固体表面の光学的非線形性の研究
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批准号:61790088
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:水谷 五郎
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依托单位:
海外基金