SHGによる固体表面系の相転移の研究

使用二次谐波研究固体表面系统的相变

• 批准号: 03640295
• 负责人: 水谷 五郎
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03640295/
• 关键词: 第二高調波発生; 秩序; 乱れた系; 相転移; 散乱; 銅フタロシアニン; インジウム・リン; ガリウム・ヒ素

SHG(第二高調波発生)による固体表面系の秩序および相転移現象に伴う秩序の変化の研究をするために以下の準備および研究を行った。1)まず低温での表面系の秩序を探るため、試料冷却に使用する冷凍機を購入し、これに装着する試料ホルダ-を製作、またこれを収納する真空容器を設計した。これはまもなく完成する。これができれば広い温度範囲で表面系の秩序を探る実験ができる。2)ガラス上に蒸着したCuPc薄膜の配向状態をSHGを用いて調べた。CuPc薄膜は通常言われているような反転対称性のあるαー型結晶ではなく、基板の法線方向に対称性が崩れた配列をしていることがわかった。またCuPcの分子面は基板面とほとんど垂直であることがわかった。3)へき開InP(110)面の表面SHGを空気中で観測した。これを行うにあたっては、強いバルクのSHGおよび電気四重極子分極によるSHGを、偏光依存性を利用して取り除いた。へき開2〜3時間以内のInP(110)表面の有効非線形感受率はx^<(2)>_<zzz>〜3×10^<ー15>esuであり、その他の成分は小さい。しかしまた数日たつとその他の成分が無視できなってくる事もわかった。これはInP表面の酸化による表面の対称性の変化が観測されている結果と考えられる。また同様の測定をGaAs(110)へき開面について行ったが、x^<(2)>_<zzz>の値は小さく、またSHG勉度の時間変化も観測されなかった。この違いは酸化により生ずる表面状態がInPでは基本光の光子エネルギ-と共鳴している為であると考えられる。4)秩序とSHG強度の関係についての理論計算をおこなった。乱れた系では秩序の保たれる距ξに依存して散乱SHG強度の散乱角依存性が変化することがわかった。またこのような計算の結果を実験的に検証する典型例としてSi_<1ーx>Ge_x混晶系での実験を進めている。

SHG (second highest wave generation), solid surface system, order, phase shift, phase shift, order, chemical, and chemical, the following is the preparation of the study. The main results are as follows: 1) the surface of the cryogenic equipment is used to investigate the order of the equipment, the cooling machine is used to enter the machine, the cooling machine is installed, and the vacuum container is designed. Please tell me that you are finished. The temperature range is in the temperature range. The surface system is in order. 2) the CuPc film is steamed on the surface of the plate. The directional state is SHG. CuPc thin film is usually used to determine the characteristics of the crystal structure, the normal direction of the substrate and the normal direction of the substrate. "CuPc" molecular face "substrate"vertical". 3) Open the surface of InP (110A). The surface SHG is empty. We need to make sure that the quadruple device of the SHG electronic plant is used to separate the SHG, and the polarizing dependence is used to remove the signal. Within 2: 3 time, there is a non-shape sensitivity on the surface of InP (2) & lt; (2) & gt;_<zzz>~ 3 × 10 ^ & lt; 15 GTX ESU sensitivity, which is sensitive to other components. Every day, every day The results show that the InP surface is acidified, the surface is symmetrical, the surface is symmetrical, and the results are different. In the same way, you can use GaAs (110C) to make sure that you don't need to do business, x ^ & lt; (2) & gt;_<zzz> to buy a small amount of money, and to use SHG to make sure that you don't need more time to do so. In the process of acidizing, the surface state of the InP, the basic photons, the photons. 4) order, SHG, strength, calculation, etc. Disorder is related to order, distance, dependence, SHG strength, angle dependence, dependence, etc. The results of the calculation of the results show that the typical example of the experiment is Si _ & lt;1 _ x _ x mixed crystal system.