Anisotropic magnetotransort in density modulated two-dimensional electron systems

我是一名专业人士，我是一名专业人士。在现场干涉测量中，我们采用了一种新的方法，即用现场干涉测量的方法来检测这些信号的大小和大小，以及它们的特性如何改变。各向异性交通工具的改造是一种长期的、潜在的解决方案。各向异性是以潜在的形式和形式出现的，东方人看到的是与之相对的一种新的结构，而不是一种特殊的组织形式。在霍希菲尔德磁系的原位干涉测量(ISI)光刻下，实现了对各向异性材料的原位干涉测量(ISI)，实验温度为50mK，Kleiner温度为50mK，磁化温度为19T。

Im Zentrum der Untersuchungen soll der Magnetowiderstand dichtemodulierter zweidimensionaler Elektronensysteme in quantisierenden Magnetfeldern stehen. Über strukturierte Gateelektroden oder über die Methode der in-situ-interferometrischen Belichtung kann einem zweidimensionalen Elektronengas eine ein- oder zweidimensionale Dichtemodulation aufgeprägt werden, welche die Transportkoeffizienten pxx und pxy in kleinen Magnetfeldern aber auch im Bereich der Quanten-Hall-Effekte charakteristisch modifizieren kann. Neben der Modifikation der Transportkoeffizienten im periodischen Potential sollen im Rahmen dieses Projektes insbesondere Transportanisotropien untersucht werden. Diese Anisotropien können ihre Ursache in der Form der aufgeprägten Potentiallandschaft, der Orientierung eines periodisch nanostrukturierten Gates relativ zur Kristallstruktur oder aber möglicherweise auch in einer selbstorganisierenden Strukturbildung des Elektronengases (Ladungsdichtewelle) haben. Diese Anisotropien wollen wir untersuchen, wobei ein Ziel des Projektes die Implementierung der in-situ-interferometrischen (ISI) Lithographie in ein Hochfeldmagnetsystem ist, das Experimente bei Temperaturen kleiner 50 mK und in Magnetfeldern bis zu 19 T erlaubt.