Realisierung hochbeweglicher zweidimensionaler Ladungsträgersysteme auf (100) und (110) GaAs Oberflächen

在 (100) 和 (110) GaAs 表面上实现高移动性二维载流子系统

• 批准号: 5244896
• 负责人: Professor Dr. Gerhard Abstreiter
• 金额: --
• 依托单位: Walter Schottky Institut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik (WSI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5244896?language=en
• 关键词: Realisierung; hochbeweglicher; zweidimensionaler; Ladungstr; gersysteme

Ziel dieses Vorhabens ist die Optimierung der Beweglichkeiten von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen auf unterschiedlichen GaAs-Oberflächen. Damit soll die Basis geschaffen werden, höchstbewegliche Elektronenschichten für Untersuchungen zum fraktionalen Quanten-Hall-Effekt auf der Standard (100) Oberfläche auch für andere Projekte im Schwerpunkt bereitzustellen. Die Erhöhung der Elektronenbeweglichkeiten könnte aber auch zu neuen Effekten im Bereich niedriger Dichte und hoher Magnetfelder, wie z.B. der Wignerkristallisation, führen. Auf vizinalen Oberflächen soll untersucht werden, ob das kürzlich gefundene und bisher nicht verstandene anisotrope Verhalten des zweidimensionalen Elektronengases in höheren Landauniveaus durch strukturelle Anisotropien verursacht wird. Desweiteren ist eine Optimierung der Elektronenbeweglichkeiten auf (110) Oberflächen für das Wachstum auf Spaltflächen geplant, wobei eine künstliche Anisotropie im ersten Wachstumsschritt gezielt eingebracht werden kann. Auf (311) Oberflächen ist die Realisierung hochbeweglicher Löcherkanäle geplant, wobei ein wesentlicher Aspekt auch hier die Untersuchung der Anisotropieeigenschaften aufgrund von strukturellen oder intrinsischen Bandstruktureigenschaften ist.

Ziel dieses Vorhabens ist die Optimierung der Beweglichkeiten von zweidimensionalen Ladungsträgersystemen auf unterschedlichen GaAs-Oberflächen. Damit soll die Basis geschaffen韦尔登，höchstbewegliche Elektronenschichten für Untersuchungen zum fraktionalen Quanten-Hall-Effekt auf der Standard（100）Oberfläche auch für andere Projekte im Schwerpunkt beritzustellen.电子设备的工作原理也可以在磁场中产生新的效应，如z.B.维格纳的圣诞节元首。在这种情况下，上表面必须进行韦尔登，因为在Landauniveaus中，通过构造各向异性结构，两个维度的电子能量不会发生均匀的各向异性。Desweiteren ist eine Optimierung der Elektronenbeweglichkeiten auf（110）Oberflächen für das Wachstum auf Spaltflächen geplant，wobei eine künstliche Anisotropie im ersten Wachstumsschritt gezielt eingebracht韦尔登kann.在（311）Oberflächen ist die Realisierung hochbeweglicher Löcherkanäle geplant，wobei ei einsentlicher Aspekt auch die Untersuchung der Anisotropieeigenschaften aufgrund von strukturellen or der intrinsischen Bandstruktureigenschaften ist ist.