Kupfer und Wasserstoff in Silizium: Reaktionsmechanismen und Defektparameter

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Dieses Projekt befaßt sich mit den Wechselwirkungen von Kupfer und Wasserstoff in kristallinem Silizium. Beide Störstellen sind von großem Interesse in der Halbleitertechnologie. Die Eigenschaften von isoliertem Kupfer bzw. Wasserstoff in Silizium sind seit längerem Gegenstand der Forschung, dem auch heute noch viele Aktivitäten gewidmet werden. Der gegenseitige Einfluß von Cu und H ist dagegen noch weitgehend unverstanden. In diesem Zusammenhang sind insbesondere Komplexbildungsreaktionen und die mögliche Passivierung elektrisch aktiver Defekten von Interesse. Auch stellt sich die Frage, inwieweit die Diffusion beider Elemente durch gegenseitige Wechselwirkungen beeinflußt wird.Die Verknüpfung unterschiedlicher experimenteller Methoden erlaubt es, neben den elektrischen und optischen Parametern auch die atomare Struktur der Defektkomplexe aufzuklären. In enger Zusammenarbeit mit theoretischen Arbeitsgruppen werden die Ergebnisse eine mikroskopische Beschreibung der Defektbildung und der schnellen Diffusion ermöglichen.