Kupfer und Wasserstoff in Silizium: Reaktionsmechanismen und Defektparameter

硅中的铜和氢:反应机理和缺陷参数

基本信息

项目摘要

Dieses Projekt befaßt sich mit den Wechselwirkungen von Kupfer und Wasserstoff in kristallinem Silizium. Beide Störstellen sind von großem Interesse in der Halbleitertechnologie. Die Eigenschaften von isoliertem Kupfer bzw. Wasserstoff in Silizium sind seit längerem Gegenstand der Forschung, dem auch heute noch viele Aktivitäten gewidmet werden. Der gegenseitige Einfluß von Cu und H ist dagegen noch weitgehend unverstanden. In diesem Zusammenhang sind insbesondere Komplexbildungsreaktionen und die mögliche Passivierung elektrisch aktiver Defekten von Interesse. Auch stellt sich die Frage, inwieweit die Diffusion beider Elemente durch gegenseitige Wechselwirkungen beeinflußt wird.Die Verknüpfung unterschiedlicher experimenteller Methoden erlaubt es, neben den elektrischen und optischen Parametern auch die atomare Struktur der Defektkomplexe aufzuklären. In enger Zusammenarbeit mit theoretischen Arbeitsgruppen werden die Ergebnisse eine mikroskopische Beschreibung der Defektbildung und der schnellen Diffusion ermöglichen.
该项目是在水晶硅中进行 Kupfer 和 Wasserstoff 的 Wechselwirkungen 设计。 Beide Störstellen sind von großem Interesse in der Halbleitertechnologie。 Die Eigenschaften von isoliertem Kupfer bzw。水里的水在硅化物中的作用是在研究过程中进行的,是在今天的活动中进行的。 Cu 和 H 的流感病毒是不可理解的。在这个过程中,我们会发现复杂的设计反应和被动的电气活动。 Auch stellt sich die Frage, inwieweit die Diffusion beider Elemente durch gegenseitige Wechselwirkungen beeinflußt wird.Die Verknüpfung unterschiedlicher Experimenteller Methoden erlaubt es, neben den elektrischen und optischen Parametern auch dieatomare Struktur der Defektkomplexe aufzuklären。在工程和理论工作中,我们对缺陷和扩散进行了微观研究。

项目成果

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