Bildung und Struktur von Stickstoff-Wasserstoff-Komplexen in GaAs1-xNx

GaAs1-xNx 中氮氢配合物的形成和结构

• 批准号: 5456487
• 负责人: Professor Dr. Hans Christian Alt
• 金额: --
• 依托单位: Fakultät für Angewandte Naturwissenschaften und Mechatronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2005
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2004-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5456487?language=en
• 关键词: Bildung; und; Struktur; von; Stickstoff

Verdünnte Nitiride ¿ insbesondere das Legierungssystem (Ga,In)(As,N) ¿ haben weltweit in jüngster Zeit sowohl aus theoretischer als auch experimenteller/anwendungsorientierter Sicht große Beachtung gefunden. Der Einfluss des Stickstoffeinbaus ¿ wie die enorme Verringerung der fundamentalen Bandlücke und die Zunahme der effektiven Elektronenmasse ¿ kann durch Wasserstoffpassivierung rückgängig gemacht werden. Details, insbesondere die mikroskopische Struktur der Stickstoff-Wasserstoff-Komplexe, sind unklar und werden derzeit intensiv diskutiert. Durch IR-Absorptionsspektroskopie an den lokalisierten (LVM-Spektroskopie) des Wasserstoffs können Stickstoff-Wasserstoff-Komplexe bei tiefen Temperaturen mit hoher Empfindlichkeit nachgewiesen werden. Diese in der Arbeitsgruppe betriebene Methode steht im Fokus des Projekts, um detaillierte Informationen über die Bildung und Struktur der Komplexe in den genannten Legierungen zu gewinnen. Dazu wird in ersten Phase auf der Grundlage von GaAs-1-xNx-Schichten (epitaktisch gewachsen oder ionenimplantiert und getempert) und der zur Verfügung stehenden Wasserstoff-Plasmaquelle ein Verfahren zur Wasserstoff-Beladung entwickelt. Anschließend werden selektiv Wasserstoff- und Deuteriumplasmen eingesetzt, um mit Hilfe des Isotopeneffekts Aufschlüsse über die lokale Struktur der Stickstoff-Wasserstoff-Komplexe zu gewinnen. Die abschließende Erweiterung der Untersuchungen auf entsprechende Komplexe in quaternären Schichten (z.B. InGaAsN) stützt sich auf die LVM-Frequenzverschiebungen durch vibronische Kopplung mit der lokalen Defektumgebung.

Verdünte Nitiride？从理论上和实验上证明了（Ga，In）（As，N）体系的存在。Der Einfluss des Stickstoffeinbaus <$wie die Verringerung der fundamentalen Bandlücke und die Zunahme der effektiven Elektronenbaus kann durch Wasserstoffpassivierung rückgängig gemacht韦尔登.详细内容，包括Stickstoff-Wasserstoff-Complexe的微结构，是一个不明确的和韦尔登深入讨论的问题。吸收光谱仪和液体校准仪（LVM-Spektroskopie）用于测定具有高强度韦尔登的温度下的粘性-Wasserstoff-复合物。这些工作组的方法是在项目的焦点，详细的信息是在复杂的教育和结构中产生的。第一阶段在GaAs-1-xNx-Schichten基片上（外延或离子注入和退火），并在此基础上制备了一种用于Wasserstoff-Beladung的Wasserstoff-Plasmaquelle。使用同位素效应辅助的韦尔登和氘等离子体合成的粘性瓦塞尔斯托夫-瓦塞尔斯托夫复合体的局部结构。Die abschließe Erweiterung der Untersuchungen auf entsprechende Komplexe in quaternären Schichten（z.B. InGaAsN）通过振动与局部Defektumgebung耦合来提高LVM-Frequenzverbungen。