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II族単原子層界面導入によるSi基板上のGaAs薄膜の高品質化

II族単原子層界面導入によるSi基板上のGaAs薄膜の高品質化
通过引入 II 族单层界面提高 Si 衬底上 GaAs 薄膜的质量
批准号：
03750014
负责人：
前橋 兼三
金额：
$0.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03750014/
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分子認識素子変調機構を有する高機能化グラフェンセンサの開発
DNA機能化グラフェン素子による空中浮遊ウイルスの特異的センシング技術の開発
薄膜化したSi基板上へのGaAs分子線成長
  • 批准号：
    04750015
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    前橋 兼三
  • 依托单位：
    Osaka University