DNA機能化グラフェン素子による空中浮遊ウイルスの特異的センシング技術の開発
DNA機能化グラフェン素子による空中浮遊ウイルスの特異的センシング技術の開発
批准号:
21H01336
负责人:
前橋 兼三
金额:
$11.23万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2024-03-31
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本研究では、室内等の大気中に浮遊するウイルスを特異的にその場でセンシングすることを目的として、「グラフェンをチャネルとした電子素子を作製し、そのグラフェンチャネル表面上に設計した1本鎖DNAを化学修飾することにより、大気中に浮遊するウイルスを特異的に認識し、電気的にセンシングする」ことである。2022年度では、インフルエンザウイルスのスパイクタンパク質であるヘマグルチニンの液相中での検出を、グラフェンデバイスを用いて行った。その結果、DNAの配列により、ヘモグルチニンの検出感度が向上することを明らかし、さらに、検出感度が向上したDNAの配列を用いて、溶液中のカリウムの濃度を変化させた場合に、DNAの構造がどのように変化し、さらにヘモグルチニンの検出感度にどのような影響を与えるのかを調べた。一本鎖DNAをフォールディングする際、KClの濃度を変化させ、円二色性(CD)測定でDNAの立体構造を評価した。KClの濃度が高い場合にはG4構造が形成されるが、KClの濃度が低くなるにつれ、DNAのランダム構造が増加することが分かった。G4構造の割合異なる種々条件でフォールディングしたDNAをグラフェンチャネルに修飾し、溶液中でヘマグルチニンの検出を行った。その結果、G4構造の割合が多いほど、より低濃度のヘマグルチニン検出ができることが明らかになった。これは、DNAのG4構造とヘモグルチニンの結合力がより強いためであると考えられる。しかしながら、G4構造を形成したDNAを用いた場合にも、KClの無い溶液環境下ではG4構造が崩れ、ヘマグルチニンの高感度検出が困難であることが分かった。
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グラフェンFETを用いたヘマグルチニン検出におけるDNAアプタマーの立体構造依存性
使用石墨烯 FET 检测血凝素时 DNA 适体的构象依赖性
DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中村 日向子, 生田 昂, 北川 雄大, 塚越 かおり, 池袋 一典, 前橋 兼三]
通讯作者:
前橋 兼三
DNAアプタマー修飾グラフェンを用いたインフルエンザウイルスの電気的検出
使用 DNA 适体修饰石墨烯电检测流感病毒
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[武末 栞奈, 中村 日向子, 光谷 健悠, 生田 昂, 塚越 かおり, 池袋 一典, 前橋 兼三]
通讯作者:
前橋 兼三
グラフェンの合成とセンサを中心にした機能性デバイスの開発
石墨烯合成及以传感器为核心的功能器件开发
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kosuke Fujishima, Amila Kariyawasam, Joji Maeda, 金澤誠司, 前橋兼三]
通讯作者:
前橋兼三
Electrical detection of influenza virus based on DNA aptamer-modified graphene
基于DNA适配体修饰石墨烯的流感病毒电学检测
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kanna Takematsu, Takashi Ikuta, Kaori Tsukakoshi, Kazunori Ikebukuro and Kenzo Maehashi]
通讯作者:
Kazunori Ikebukuro and Kenzo Maehashi
疾病の早期発見、安心安全社会の実現のためのナノカーボン次世代センサ開発
开发下一代纳米碳传感器,以早期发现疾病并实现安全可靠的社会
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kiya Hitoshi, Maung April Pyone Maung, Kinoshita Yuma, Imaizumi Shoko, Shiota Sayaka, TATSUNO Wataru and TAKEUCHI Keigo, 金澤誠司, 前橋兼三]
通讯作者:
前橋兼三
分子認識素子変調機構を有する高機能化グラフェンセンサの開発
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批准号:24K00895
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.81万
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财政年份:2024
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负责人:前橋 兼三
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依托单位:
薄膜化したSi基板上へのGaAs分子線成長
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批准号:04750015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:前橋 兼三
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依托单位:
II族単原子層界面導入によるSi基板上のGaAs薄膜の高品質化
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批准号:03750014
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:前橋 兼三
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依托单位:
海外基金