薄膜化したSi基板上へのGaAs分子線成長
薄膜化したSi基板上へのGaAs分子線成長
批准号:
04750015
负责人:
前橋 兼三
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1992
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1992 至 --
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会议论文
分子認識素子変調機構を有する高機能化グラフェンセンサの開発
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批准号:24K00895
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.81万
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财政年份:2024
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负责人:前橋 兼三
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依托单位:
DNA機能化グラフェン素子による空中浮遊ウイルスの特異的センシング技術の開発
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批准号:21H01336
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.23万
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财政年份:2021
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负责人:前橋 兼三
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依托单位:
II族単原子層界面導入によるSi基板上のGaAs薄膜の高品質化
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批准号:03750014
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:前橋 兼三
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依托单位: