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Noise-optimized, room-temperatured Schottky diode mixer for the higher terahertz-range
噪声优化的室温肖特基二极管混频器，适用于更高太赫兹范围
基本信息
- 批准号：5248024
- 负责人：
- 金额：--
- 依托单位：
- 依托单位国家：德国
- 项目类别：Research Grants
- 财政年份：2000
- 资助国家：德国
- 起止时间：1999-12-31 至 2006-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Neue Terahertz-Schottky-Dioden-Strukturen für den Bereich von 1 bis 5 THz sollen mit GaAs und anderen III-V-Halbleitern entwickelt und untersucht werden.
采用GaAs和III-V半导体材料的新太赫兹肖特基二极管结构可实现1 ~ 5 THz的电磁辐射，并可实现韦尔登。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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