Development of semiconductor components for the generation and measurement of THz-signals on basis of optical heterodyne techniques

开发基于光外差技术产生和测量太赫兹信号的半导体元件

• 批准号: 5203990
• 负责人: Professor Dr. Hans Ludwig Hartnagel
• 金额: --
• 依托单位: Fachgebiet Photonik und Optische Nachrichtentechnik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5203990?language=en
• 关键词: Development; semiconductor; components; generation; measurement

Die Forschungsvorhaben in diesem Teilprojekt haben zum Ziel, ein Dauerstrich-Terahertz-Durchleuchtungssystem, bei dem das Mikrowellensignal durch Heterodyning zweier optischer Signale erzeugt wird, zu entwickeln. Beim im Rahmen des Projekt zu entwickelnden und herzustellenden Dauerstrich Terahertz-Durchleuchtungssystem soll das Mikrowellensignal durch Heterodyning zweier optischer Signale mit einer Zwischenfrequenz im Bereich 300-1000 GHz erzeugt werden. Die THz-Zwischenfrequenz soll hierbei durch direkte Erzeugung in Niedrigtemperatur gewachsener III/V- Verbindungshalbleiter wie GaAs, InAs, InSb und GaSb-Schichten untersucht werden.

这是一个非常重要的系统，它是一种以太赫兹为核心的光信号传输系统，也是一种新型的光通信系统。该系统的频率为300-1000 GHz，频率为300-1000 GHz。在Niedrigatur Gewachsener III/V-Verbindungshalter Wie GaAs，InAs，InSb和GaSb-Schichten中进行了THz-Z频率的测量。