Development of semiconductor components for the generation and measurement of THz-signals on basis of optical heterodyne techniques

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Die Forschungsvorhaben in diesem Teilprojekt haben zum Ziel, ein Dauerstrich-Terahertz-Durchleuchtungssystem, bei dem das Mikrowellensignal durch Heterodyning zweier optischer Signale erzeugt wird, zu entwickeln. Beim im Rahmen des Projekt zu entwickelnden und herzustellenden Dauerstrich Terahertz-Durchleuchtungssystem soll das Mikrowellensignal durch Heterodyning zweier optischer Signale mit einer Zwischenfrequenz im Bereich 300-1000 GHz erzeugt werden. Die THz-Zwischenfrequenz soll hierbei durch direkte Erzeugung in Niedrigtemperatur gewachsener III/V- Verbindungshalbleiter wie GaAs, InAs, InSb und GaSb-Schichten untersucht werden.