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Avalanche-Effekt zur Steigerung der Sensitivität photorefraktiver Kristalle

Avalanche-Effekt zur Steigerung der Sensitivität photorefraktiver Kristalle
雪崩效应提高光折变晶体的灵敏度
批准号:
5252144
负责人:
Professor Dr. Karsten Buse
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2000
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1999-12-31 至 2006-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
e . räumlich非均质光致发光晶体衍射<s:1> hrt zur Umverteilung von ladungenzwischen Störstellen und zum Aufbau elektrischer Raumladungsfelder, die den brechungsinindex ber den elektrooptischen effetlieren。光折光性研究:铌酸锂(LiNbO3)和砷化镓(GaAs)。光学折射法,水晶衍射与成像,全息照相,相位分析与成像,Bragg-Wellenlängenfilter。“能源问题”在“能源问题”中被定义为“能源问题”Sensitivität (erzeugseffizizenz proenergiedichte des ingestrahlten Schreiblichts)。in Rahmen des projects soll die Sensitivität mittels des avalanche - effects gesteigert werden: Dazu sind and die Proben große external elektrische Felder and zulegen, so daß einzelne ausgelöste Photoelektronen viele free Sekundärelektronen erzegen。Eine Verbesserung der Sensitivität um f<e:1> nf Größenordnungen erscheint möglich。Damit wären die Kristalle dann deutlich empfindlicher als Photoplatten and photoolymere。通常是犹太教,犹太教,犹太教,犹太教,犹太教,犹太教,犹太教,犹太教,犹太教和犹太教。Zahlreiche Material- und Prozeßparameter, insbesonere die zeitliche Entwicklung des externen Feldes, sind sorgfältig zu optimieren。
英文摘要
Eine räumlich inhomogene Beleuchtung photorefraktiver Kristalle führt zur Umverteilung von Ladungen zwischen Störstellen und zum Aufbau elektrischer Raumladungsfelder, die den Brechungsindex über den elektrooptischen Effekt modulieren. Photorefraktiv sind z.B. Lithiumniobat (LiNbO3) und Gallium-Arsenid (GaAs). Vielversprechende Anwendungen photorefraktiver Kristalle werden diskutiert und erprobt, z.B. holographische Datenspeicher, phasenkonjugierende Spiegel und Bragg-Wellenlängenfilter. Das Hauptproblem liegt in der noch unzureichenden Sensitivität (erzeugte Beugungseffizienz pro Energiedichte des eingestrahlten Schreiblichts). Im Rahmen des Projekts soll die Sensitivität mittels des Avalanche-Effekts gesteigert werden: Dazu sind an die Proben große externe elektrische Felder anzulegen, so daß einzelne ausgelöste Photoelektronen viele freie Sekundärelektronen erzeugen. Eine Verbesserung der Sensitivität um fünf Größenordnungen erscheint möglich. Damit wären die Kristalle dann deutlich empfindlicher als Photoplatten und Photopolymere. Offen ist jedoch, ob die erzeugten Brechnungsindexänderungen noch eine getreue Replika des Lichtmusters sind. Zahlreiche Material- und Prozeßparameter, insbesondere die zeitliche Entwicklung des externen Feldes, sind sorgfältig zu optimieren.
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