原子レベルで平坦なシリコン表面の初期酸化過程のX線光電子分光法による解明
原子レベルで平坦なシリコン表面の初期酸化過程のX線光電子分光法による解明
使用 X 射线光电子能谱阐明原子级平坦硅表面的初始氧化过程
批准号：
04855005
负责人：
野平 博司
金额：
$0.64万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
酸化の進行に伴う酸化膜の価電子帯形成過程の角度分解X線光電子分光法による解明
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批准号：09750038
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$1.6万
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财政年份：1997
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负责人：野平 博司
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依托单位：
水素終端されたシリコン面の初期酸化過程の角度分解紫外線光電子分光法による解明
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批准号：08750038
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1996
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负责人：野平 博司
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依托单位：
原子スケールで平坦なシリコン表面上のAlの初期成長過程のX線光電子分光法による解明
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批准号：06750031
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1994
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负责人：野平 博司
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依托单位：