APPLICATION OF INTERMETALLIC COMPOUNDS TO FUNCTIONAL ELECTRONIC MATERIALS

金属间化合物在功能电子材料中的应用

基本信息

  • 批准号:
    05402050
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.65万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 1995
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Refractory NiGe Ohmic contacts which had excellent thermal stability and smooth surface had been developed. To apply this contacts to the future very large scale integration (VLSI) GaAs devices, reduction of the contact resistance (R_C) of the NiGe contacts are mandatory. In the present paper, in order to obtain a guideline for the R_C reduction, the formation mechanism of the NiGe contacts was investigated. The NiGe contacts were found to have two different Ohmic contact formation mechanisms. These mechanisms suggested that facilitation of heavy doping at the GaAs surface and/or in the Ge layr was very effective to reduce the R_C values of the NiGe contacts.
已开发出具有优异热稳定性和光滑表面的耐火镍锗欧姆接触。为了将该接触应用于未来的超大规模集成(VLSI)GaAs器件,必须降低NiGe接触的接触电阻(R_C)。在本文中,为了获得降低R_C的指导,对NiGe接触的形成机制进行了研究。发现 NiGe 接触具有两种不同的欧姆接触形成机制。这些机制表明,在 GaAs 表面和/或 Ge 层中促进重掺杂对于降低 NiGe 接触的 R_C 值非常有效。

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
C.J.Uchibori: "The Formation Mechanism of the In_xGa_<1-x> As Ohmic Contacts to n-type GaAs Prepared by RF sputtering" J.Electronic Mater.23. 983-989 (1994)
C.J.Uchibori:“通过射频溅射制备的 n 型 GaAs 欧姆接触 In_xGa_<1-x> 的形成机制”J.Electronic Mater.23。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M. Murakami: "Development of Ohmic contacts for compound semiconductors" Proc. Int. Conf. Solid and Integrated-Circuit Technology. 4. 374-378 (1995)
M. Murakami:“化合物半导体欧姆接触的开发”Proc。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M. Okunishi: "Development of Ohmic contacts for compound semiconductors" J. Electro. Mat.24. 333-339 (1995)
M. Okunishi:“化合物半导体欧姆接触的发展”J. Electro。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Oku: "Thermal stability of WN_X and TaN_X diffusion barriers between Si and Cu" Proc.IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference. Vol.12. 182-185 (1995)
T.Oku:“Si 和 Cu 之间 WN_X 和 TaN_X 扩散势垒的热稳定性”Proc.IEEE VLSI 多级互连会议。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
村上正紀: "化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化" 日本金属学会誌. 8.987-991 (1995)
Masaki Murakami:“化合物半导体接触材料的介观发展”日本金属研究所杂志8.987-991(1995)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

MURAKAMI Masanori其他文献

MURAKAMI Masanori的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('MURAKAMI Masanori', 18)}}的其他基金

Application of cell sheets for therapy of refractory ulcers in ischemic hindlimbs
细胞片层在缺血后肢难治性溃疡治疗中的应用
  • 批准号:
    26462109
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Ohmic contact materials for wide-gap semiconductors : Fabrication and STP analysis.
宽禁带半导体的欧姆接触材料:制造和 STP 分析。
  • 批准号:
    15206069
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of highly reliable contacts on p-type CdTe for radiation detectors
开发用于辐射探测器的 p 型 CdTe 高度可靠触点
  • 批准号:
    13450287
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of High Performance Ohmic Contact Materials for Full Color Light Enitting Devices.
用于全彩发光器件的高性能欧姆接触材料的开发。
  • 批准号:
    08455145
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Activation of Carbon-Carbon Bonds by Soluble Transition Metals
可溶性过渡金属对碳-碳键的活化
  • 批准号:
    08455426
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of Ohmic contact materials for ZnSe-based blue light emitting devices
ZnSe基蓝光发射器件欧姆接触材料的开发
  • 批准号:
    05555003
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
Thermal Strain of In films deposited onto Si and GaAs Substrates
沉积在 Si 和 GaAs 衬底上的 In 薄膜的热应变
  • 批准号:
    03452257
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)

相似海外基金

CAS: Optimization of CO2 to Methanol Production through Rapid Nanoparticle Synthesis Utilizing MOF Thin Films and Mechanistic Studies.
CAS:利用 MOF 薄膜和机理研究,通过快速纳米粒子合成优化 CO2 生产甲醇。
  • 批准号:
    2349338
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
CAREER: Emergent quantum phenomena in epitaxial thin films of topological Dirac semimetal and its heterostructures
职业:拓扑狄拉克半金属及其异质结构外延薄膜中的量子现象
  • 批准号:
    2339309
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Lubrication by Lamellar Liquid Crystals - An in-situ investigation of thin films with Brewster Angle microscopy technology
层状液晶润滑 - 使用布鲁斯特角显微镜技术对薄膜进行原位研究
  • 批准号:
    EP/Y023277/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Research Grant
Metal-organic framework thin films for electrocatalysis: A combined ex situ and in situ investigation
用于电催化的金属有机骨架薄膜:异位和原位联合研究
  • 批准号:
    EP/Y002911/1
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Research Grant
Collaborative Research: Scalable Manufacturing of Large-Area Thin Films of Metal-Organic Frameworks for Separations Applications
合作研究:用于分离应用的大面积金属有机框架薄膜的可扩展制造
  • 批准号:
    2326714
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Standard Grant
FMSG: Bio: Interface-Directed Manufacturing of Piezoelectric Biocrystal Thin Films
FMSG:生物:压电生物晶体薄膜的界面导向制造
  • 批准号:
    2328250
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Collaborative Research: Scalable Manufacturing of Large-Area Thin Films of Metal-Organic Frameworks for Separations Applications
合作研究:用于分离应用的大面积金属有机框架薄膜的可扩展制造
  • 批准号:
    2326713
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Low-temperature formation of PTFE thin films by electronic excitation of fluorocarbon condensed layers and its application as a surface treatment method.
氟碳凝聚层电激发低温形成PTFE薄膜及其表面处理方法的应用
  • 批准号:
    23K04394
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Deposition of novel transparent conducting thin films with unusual optoelectronic properties
具有不寻常光电特性的新型透明导电薄膜的沉积
  • 批准号:
    2888596
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Studentship
Study of silicon nitride thin films as optical mirror coatings for cryogenic based gravitational wave detectors
氮化硅薄膜作为低温引力波探测器光学镜涂层的研究
  • 批准号:
    ST/X00533X/1
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.65万
  • 项目类别:
    Training Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了