アルキルV族原料を用いた有機金属気相成長の表面反応過程

烷基V原料有机金属气相外延的表面反应过程

• 批准号: 05750012
• 负责人: 若原 昭浩
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750012/
• 关键词: 有機金属気相成長; 有機V族原料; 表面光吸収測定

有機金属気相成長(OMVPE)に対するV族原料として、毒性が高いAsH_3、PH_3に代わる、毒性の低くいアルキルV族原料を用いた場合の成長表面でのV族の脱離置換反応は殆ど明らかにされていない。本研究では、V族原料としてタ-シャリブリルホスフィン(TBP)を用い、表面状態に非常に敏感な表面光吸収法(SPA)を用いて、V族原料の基板表面での分解過程について検討を行うことを目的とし、以下のような研究を行った。1.成長中にその場で表面光吸収測定を行うため、現有の有機金属気相成長装置の反応菅部並びにガス供給系を改良した。2.表面光吸収測定系を構築し、GaP基板のSPAスペクトを測定した。この時、本年度科学研究費補助金により購入した、小型分光器並びに波長駆動装置を用いた。3.TBPを用いたGaP成長においては、充分燐圧を加えていても、成長中断時間が大きくなると表面から燐が脱離し、表面が荒れる現象が観測された。現在、TBPを用いたGaP成長表面におけるSPAスペクトルの解析を行っているところであり、今後、SPAを用いた表面状態の詳細な測定を行い、基板表面清浄化し、成長中断中、および成長の表面反応を解明し、これを利用した成長技術の開発を行っていく。

Organic metal 気 phase growth (OMVPE) に す seaborne る V material と し て, high toxicity が い AsH_3, PH_3 に generation わ る, low toxicity の く い ア ル キ ル V を raw material with い た occasions の growth surface で の V の from displacement inverse 応 は perilous ど Ming ら か に さ れ て い な い. This study で は, V materials と し て タ - シ ャ リ ブ リ ル ホ ス フ ィ ン (the TBP) を い, surface state に very sensitive に な normal 収 absorption method (SPA) を い て, V material の substrate surface で の decomposition に つ い て 検 line for を う こ と を purpose と し, the following の よ う な を line っ た. 1. The growth of に そ の field で normal suction line 収 determination を う た め, existing の organometallic 気 phase growth device の anti 応 kan department and び に ガ ス supply system modified し を た. 2. The surface light absorption determination was carried out by を constructing を and using GaP substrate <s:1> SPAスペ トを トを トを to determine <s:1> た. The scientific research fund grant for the current year によ によ purchased た た, a small spectrometer and a びに wavelength 駆 actuator を for を た た. 3. The TBP を with い た GaP growing に お い て は, fully 燐 圧 を plus え て い て も, big growth interruption time が き く な る と surface か ら 燐 が from し, surface が drought れ る phenomenon が 観 measuring さ れ た. Now, the TBP を い た GaP growing surface に お け る SPA ス ペ ク ト ル の parsing line を っ て い る と こ ろ で あ り, in the future, SPA を い た surface state の な determination in detail line を い, substrate surface incorporated し, growth in the interrupt and お よ び の growth on the surface of the 応 を interpret し, こ れ を using し た growth technology の 発 を line っ て い く.