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自己形成量子ドット構造の形成機構の解明と制御

自组装量子点结构形成机制的阐明和控制

基本信息

批准号：
08750015
负责人：
若原昭浩
金额：
$ 0.64万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750015/
关键词：
自己形成量子ドット成長様式歪場解析

项目摘要

基板結晶表面に形成した人工的な歪または表面エネルギー分布が、自然形成型量子ドット形成に与える影響を調べることにより、量子ドット形成機構を解明し、量子ドットの形成位置、寸法を制御するための基礎データを得る事を目的とし、以下のような成果を得た。1)Valence-force-field法を用い、自己形成量子ドットの垂直配列が生じているInAs/GaAs系の歪場の解析を行い、垂直配列が生じるために必要な成長層表面での面内歪差を求めた。2)AlAs/GaAsおよびAlP/GaP分数超格子を用いることにより、InAs/GaAsにおいて自己形成量子ドットの垂直配列を生じさせ得る面内歪差以上の面内歪差を与えられることを示した。3)InP/GaPヘテロエピタキシャル成長の成長モードについて検討し、1.1MLから3次元成長に変化するStranski-Krastanovモードであることを、理論的、実験的に示した。4)InP/AlPヘテロエピタキシャル成長の成長モードについて検討し、0.7MLから3次元成長に変化するVolmer-Weberモードであることを、理論的、実験的に示した。以上の結果を基に、自己形成量子ドットを特定の領域内に形成可能であることを示した。今後は、実際に分数超格子を作製し、量子ドットの形成位置の制御を実現していく予定である。

The surface of the substrate is formed artificially, the surface is distributed, the naturally formed quantum layer is formed and the influence is adjusted, the quantum layer is formed, the formation position of the quantum layer is controlled, and the foundation is obtained. 1)Valence-force-field method is used to form quantum dots by itself. The vertical alignment of InAs/GaAs system is generated. The analysis of skew field is performed. The vertical alignment of InAs/GaAs system is generated. The in-plane skew difference on the surface of the necessary growth layer is calculated. 2) When AlAs/GaAs and AlP/GaP fractional superlattices are used, InAs/GaAs can form its own vertical arrangement of quantum dots, resulting in in-plane skewness greater than in-plane skewness. 3)InP/GaP growth model, 1.1ML three-dimensional growth model, Stranski-Krastanov model, theoretical and practical. 4)InP/AlP growth model, 0.7ML, 3D growth model, Volmer-Weber model, theoretical and practical. The above results are based on the formation of quantum dots in a specific field. In the future, the control of the formation position of the quantum lattice will be realized.