权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

超電導マグネットを利用したダイヤモンド膜の高速気相合成

使用超导磁体快速气相合成金刚石薄膜

基本信息

批准号：
05750077
负责人：
大竹尚登
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-05750077/
关键词：
ダイヤモンド膜酸素磁場気相合成

项目摘要

陰極と陽極とを直角に配置したアーク放電プラズマジェット発生装置によって水素アルゴンからなるプラズマを発生させ,それに周囲から原料のメタンガスを混入させてモリブデン基板上に吹き付けることによってダイヤモンドを合成する方法に磁場を重畳させることにより,プラズマ径を拡大して大面積にダイヤモンドを合成することを目的として,合成条件の検討を行った.まず,大面積に均質なダイヤモンドを合成するために酸素の添加効果について検討した.酸素はメタンとともにプラズマジェットの周囲から流入させ,そのメタンに対する流量比によって膜の品質と結晶性がどのように変化するかを検討した.その結果,酸素の添加量を増加させるとダイヤモンドの合成速度は減少するが品質は向上し,メタンの50%の酸素を添加するとダイヤモンドは合成されず,33%の酸素を流入させることにより,品質が良くかつ厚さの均質なダイヤモンドが60mum/h程度の合成速度で得られることがわかった.そして,この条件で20時間合成を行うことにより,表面粗さ100mum以下で,厚さ1.2mmのダイヤモンド薄板が得られた.これに磁場を加えてプラズマを拡大させるためには3T程度の強磁場が必要であり,そのためには超電導磁石が必要不可欠である.そして,高温のプラズマ近傍でそれを用いるためには,臨界温度の高い酸化物超電導体を用いることが望まれる.そこで,酸化物超電導体を用いてマグネットを作製することを考え,超電導薄膜気相合成装置の設計を行った.今後この装置の試作を行う予定である.

The device is installed at a right angle. The device is equipped with a device that contains water, water, raw material, and substrate. This is the first step of the synthesis process, and the synthesis conditions are different from each other. The dough, noodles and noodles are all made in the same way that the synthesis is made. The flow rate of the membrane is higher than that of the membrane, which is different from that of the membrane. The results showed that the addition of acid, the addition of acid, the rate of synthesis, the amount of acid, the rate of synthesis, the amount of acid, the amount of acid Under the condition of 20 hours, the surface is thicker than 100mum, and the thickness of the sheet is better than that of the thick 1.2mm. It is necessary to increase the strength of the magnetic field and the superconducting magnet is necessary. Temperature, temperature and temperature. The superconducting thin film phase synthesis equipment is designed for the design of the superconducting thin film phase synthesis device. In the future, the equipment will be used as a predetermined order.